- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 品牌
- Infineon(英飞凌)
- Siliup(矽普)
- VBsemi(微碧半导体)
- UMW(友台半导体)
- HUASHUO(华朔)
- JSMSEMI(杰盛微)
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- Cmos(广东场效应半导体)
- OSEN(欧芯)
多选 - 封装
- TO-220
- -
多选 - 更多
- 包装
- 标签
- 认证信息
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 57A
- 导通电阻(RDS(on))
- 23mΩ@10V
描述N沟道,100V,57A,23mΩ@10V
- 收藏
- 对比
- ￥3.07
- ￥2.37
- ￥2.04
- ￥1.74
- ￥1.66
- ￥1.6
- 现货
- 22K+
- 在途
- 40K
50个/管
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 30A
- 导通电阻(RDS(on))
- 30mΩ@10V
描述使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。 可用于各种应用。
RoHS
- 收藏
- 对比
- ￥2.2301
- ￥1.7481
- ￥1.5415
- ￥1.2837
- ￥1.1689
- ￥1.1
- 现货
- 760
50个/管
总额￥0
近期成交3单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 59A
- 导通电阻(RDS(on))
- 14mΩ@10V
描述N沟道,电流59A.耐压100V，导通电阻：0.014Ω
RoHS
- 收藏
- 对比
- ￥2.28
- ￥1.97
- ￥1.84
- ￥1.67
- ￥1.6
- ￥1.56
- 现货
- 841
50个/管
总额￥0
近期成交3单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 60A
- 导通电阻(RDS(on))
- 21mΩ@10V
描述应用于高频开关电源、有源功率因数校正。
- 收藏
- 对比
- ￥3.336
- ￥2.72
- ￥2.264
- ￥1.952
- ￥1.768
- ￥1.672
- 现货
- 35
50个/管
总额￥0
近期成交1单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 70A
- 导通电阻(RDS(on))
- 17mΩ@10V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺制造，适用于需要高功率、高效能量转换和可靠性能的领域和模块，如电源模块、电动工具、汽车电子和工业自动化等。TO220；N—Channel沟道,100V；70A；RDS(ON)=17mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 收藏
- 对比
- ￥6.3
- ￥5.16
- ￥4.32
- ￥3.75
- ￥3.41
- ￥3.24
- 现货
- 13
50个/管
总额￥0
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 60A
- 导通电阻(RDS(on))
- 14mΩ@10V
描述这款N沟道消费级MOSFET采用TO-220封装，专为处理100V高电压、大电流应用设计。额定连续电流高达60A，适用于电源转换、电机驱动及电池管理系统，具备低导通电阻和高效散热能力，是现代电子设备实现高功率密度与能效控制的理想半导体组件。
- 收藏
- 对比
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 57A
- 导通电阻(RDS(on))
- 23mΩ@10V
- 耗散功率(Pd)
- 200W
SMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ￥17.47
- ￥6.97
- ￥6.74
- ￥6.63
- 现货
- 0
50个/管
总额￥0
- 收藏
- 对比
- ￥17.47
- ￥6.97
- ￥6.74
- ￥6.63
- 现货
- 0
1个/袋
总额￥0
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 50A
- 导通电阻(RDS(on))
- 16mΩ@10V
描述HSP0026是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSP0026符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过抗雪崩能力（EAS）测试，具备完整的可靠性认证。
RoHS
- 收藏
- 对比
- ￥2.36
- ￥1.85
- ￥1.64
- ￥1.37
- 现货
- 895
50个/管
总额￥0
近期成交4单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 55A
- 导通电阻(RDS(on))
- 13mΩ@10V；16mΩ@4.5V
描述中压SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：100V，电流：55A,Rdson：13mR
- 收藏
- 对比
- ￥2.2879
- ￥1.7965
- ￥1.5859
- ￥1.3231
- 现货
- 825
50个/管
总额￥0
近期成交2单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 57A
- 导通电阻(RDS(on))
- 25mΩ@10V
描述3710采用先进的工艺技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适用于消费类、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
- 收藏
- 对比
- ￥4.42
- ￥3.56
- ￥3.13
- ￥2.7
- ￥2.45
- ￥2.32
- 现货
- 189
50个/管
总额￥0
近期成交1单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 60A
- 导通电阻(RDS(on))
- 18mΩ@10V
描述VD MOSFET产品，N沟道，耐压：100V，电流：60A，RDSON：18mR
- 收藏
- 对比
- ￥3.45
- ￥2.77
- ￥2.44
- 现货
- 90
50个/管
总额￥0
近期成交1单
