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- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 品牌
- VBsemi(微碧半导体)
- HUASHUO(华朔)
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多选 - 封装
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价格
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价格/库存筛选
自营结果数4
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 55V
- 连续漏极电流(Id)
- 74A
- 导通电阻(RDS(on))
- 20mΩ@10V
描述P沟道,-55V,-74A,20mΩ@-10V
- 收藏
- 对比
- ￥3.7
- ￥3.11
- ￥2.77
- ￥2.43
- ￥2.32
- ￥2.25
现货最快4小时发货
- 现货
- 17K+
50个/管
个
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 55V
- 连续漏极电流(Id)
- 80A
- 导通电阻(RDS(on))
- 20mΩ@10V
描述应用于高频开关电源、有源功率因数校正。
- 收藏
- 对比
8.5折
- ￥2.8985
- ￥2.312
- ￥2.125
- ￥1.836
- ￥1.6575
- ￥1.564
现货最快4小时发货
- 现货
- 53
50个/管
个
总额￥0
近期成交17单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 50A
- 导通电阻(RDS(on))
- 19mΩ@10V；26mΩ@4.5V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于直流-直流转换器、功率因数校正模块等领域。TO220；P—Channel沟道,-60V；-50A；RDS(ON)=19mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
- 收藏
- 对比
9.5折
- ￥8.1415
- ￥6.84
- ￥5.529
- ￥4.712
- ￥4.3605
- ￥4.1895
现货最快4小时发货
- 现货
- 49
50个/管
个
总额￥0
近期成交6单
替代参考
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 45A
- 耗散功率(Pd)
- 86.8W
描述HSP6115是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSP6115符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。
- 收藏
- 对比
- ￥3.67
- ￥3.02
- ￥2.37
- ￥2.04
- ￥1.85
- ￥1.75
现货最快4小时发货
- 现货
- 980
50个/管
个
总额￥0
近期成交6单
