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- 场效应管(MOSFET)
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自营结果数4
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 55V
- 连续漏极电流(Id)
- 70A
- 导通电阻(RDS(on))
- 20mΩ@10V
描述P沟道,-55V,-42A,20mΩ@-10V
- 收藏
- 对比
- ￥6.31
- ￥5.62
- ￥4.96
- ￥4.48
- ￥3.5
- ￥3.4
现货最快4小时发货
- 现货
- 18K+
800个/圆盘
个
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 65A
- 导通电阻(RDS(on))
- 20mΩ@10V
描述电池管理系统、电源开关及高效能电子设备设计，具有卓越的低导通电阻和快速开关性能，确保在各种应用场合下实现稳定高效的功率转换与控制。
- 收藏
- 对比
- ￥3.83
- ￥3.14
- ￥2.8
- ￥2.45
- ￥2.25
- ￥2.14
现货最快4小时发货
- 现货
- 8114
800个/圆盘
个
总额￥0
近期成交71单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 48.7A
- 导通电阻(RDS(on))
- 11.5mΩ@10V；14.3mΩ@4.5V
描述P沟道，-60V，-25A，：22mΩ@-10.0V,-10A，-1.6V@-250μA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 收藏
- 对比
- ￥3.98
- ￥3.06
- ￥2.66
- ￥2.17
- ￥1.96
- ￥1.82
现货最快4小时发货
- 现货
- 408
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交17单
替代参考
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 45A
- 导通电阻(RDS(on))
- 25mΩ@10V
描述HSH6115 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSH6115 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，且通过了全功能可靠性认证。
- 收藏
- 对比
- ￥3.89
- ￥3.15
- ￥2.77
- ￥2.4
- ￥1.98
- ￥1.86
现货最快4小时发货
- 现货
- 604
800个/圆盘
个
总额￥0
近期成交10单
