HIRF530NPBF

品牌

HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装

TO-220C

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C41381869

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

100V

连续漏极电流(Id)

17A

导通电阻(RDS(on))

120mΩ@10V

描述这款N沟道场效应管（MOSFET）具有稳定的电气特性，其最大漏源电流（ID）为17安培，能够在高频率和高速切换的应用中保持良好的性能。在10伏特的测试条件下，导通电阻（RDSON）仅为80毫欧姆，有助于减少能量损耗。器件的最大漏源电压（VDSS）为100伏特，表明它可以安全地工作在较高的电压环境下。栅源电压（VGS）的最大额定值为20伏特，便于驱动控制。此MOSFET适用于消费电子设备中的电源转换和负载开关等场合，如个人电子装置及家用电器的电路保护与效率提升。

SMT扩展库

IRF530NPBF-JSM

品牌

JSMSEMI(杰盛微)

封装

TO-220

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C18187904

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

100V

连续漏极电流(Id)

33A

导通电阻(RDS(on))

38mΩ@10V

描述应用于高频开关电源、有源功率因数校正。

SMT扩展库

IRF530NPBF-VB

品牌

VBsemi(微碧半导体)

封装

TO-220AB

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C3040223

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

100V

连续漏极电流(Id)

18A

导通电阻(RDS(on))

127mΩ@10V

描述台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道功率MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于多种低功率功率电子应用。具有高性能和可靠性，特别适合要求高效率和低功率的电源和驱动器应用。TO220；N—Channel沟道,100V；18A；RDS(ON)=127mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

SMT扩展库

HSP0016

品牌

HUASHUO(华朔)

封装

TO-220

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C508805

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

100V

连续漏极电流(Id)

27A

导通电阻(RDS(on))

47mΩ@10V

描述HSP0016 是高单元密度的沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSP0016 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%经过 EAS 测试，且通过了全功能可靠性认证。

RoHSSMT扩展库