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- 场效应管(MOSFET)
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1个N沟道耐压:100V 电流:33A

品牌: Infineon(英飞凌)

封装: TO-220AB

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2566

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 33A

导通电阻(RDS(on)): 44mΩ@10V

描述N沟道,100V,33A,44mΩ@10V

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现货: 42K+

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品牌: Infineon(英飞凌)

封装: TO-220AB

批次: 25+

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库存: 40K

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1个N沟道耐压:100V 电流:40A

品牌: JSMSEMI(杰盛微)

封装: TO-220

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C18187910

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 40A

导通电阻(RDS(on)): 26mΩ@4.5V

描述采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷下提供优异的Rps(on)，可应用于多种应用领域。

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近期成交33单

1个N沟道耐压:100V 电流:33A

品牌: OSEN(欧芯)

封装: TO-220

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42381464

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 33A

导通电阻(RDS(on)): 35mΩ@10V

描述N沟道,电流33A.耐压100V，导通电阻：35mΩ

RoHS

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5+￥1.9119
50+￥1.4986
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2500+￥1.0021
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近期成交12单

1个N沟道耐压:100V 电流:18A

品牌: ElecSuper(静芯)

封装: TO-220

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C39832212

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 18A

导通电阻(RDS(on)): 37mΩ@10V；39mΩ@4.5V

描述N沟道，100V，18A，37mΩ@10V,10A，1.5V@250μA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

RoHS

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5+￥1.6362
50+￥1.2582
150+￥1.0962
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2500+￥0.8041
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近期成交9单

N沟道,电流:55A,耐压:100V

品牌: VBsemi(微碧半导体)

封装: TO-220AB

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C3040292

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 55A

导通电阻(RDS(on)): 36mΩ@10V

描述台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道功率MOSFET，采用Trench工艺制造，具有高性能和可靠性，适用于各种功率电子应用，高效率和高功率的电源和驱动器应用。TO220；N—Channel沟道,100V；55A；RDS(ON)=36mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

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近期成交6单

替代参考

1个N沟道耐压:100V 电流:35A

品牌: minos(迈诺斯)

封装: TO-220

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42411367

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 35A

导通电阻(RDS(on)): 25mΩ@10V

描述N沟道功率MOSFET,35A,100V，25mΩ 10V 10A，采用先进的沟槽技术，提供卓越的RDS（ON），低栅极电荷

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150+￥1.108745
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现货: 1805

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替代参考

品牌: minos(迈诺斯)

封装: TO-220

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C51933934

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 30A

导通电阻(RDS(on)): 25mΩ@10V

描述数量:1个N沟道漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):30A 导通电阻(RDS(on)):25mΩ@10V

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500+￥0.954275
2000+￥0.874475
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现货: 760

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VD MOSFET

品牌: Siliup(矽普)

封装: TO-220-3L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C49257257

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 35A

导通电阻(RDS(on)): 35mΩ@10V

描述VD MOSFET产品，N沟道，耐压：100V，电流：35A，RDSON：35mR

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SMT补贴嘉立创库存180

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现货: 180

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近期成交1单

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1个N沟道耐压:100V 电流:33A

品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装: TO-220

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C19267787

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 33A

导通电阻(RDS(on)): 30mΩ@10V

描述该款N沟道消费级MOSFET采用TO-220封装，专为100V电压下大电流应用设计。额定连续电流33A，适用于电源转换、电机驱动及电池管理系统，具有出色的低导通电阻与高效散热性能，是现代电子产品实现高效率功率控制的理想半导体组件。

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