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数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
33A
导通电阻(RDS(on))
44mΩ@10V

描述N沟道,100V,33A,44mΩ@10V

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现货
29K+

800/圆盘

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近期成交100单+

IRF540NSTRLPBF
品牌
Infineon(英飞凌)
封装
D2PAK
批次
25+
立推售价
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库存
20K

800/圆盘

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100V N沟道MOSFET
IRF540NSTRLPBF-OSEN
品牌
OSEN(欧芯)
封装
TO-263
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C49055736
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
33A
导通电阻(RDS(on))
44mΩ@10V

描述高品质MOS管 N沟道 电流:33A 耐压:100V 导通电阻:44mΩ

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800/圆盘

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近期成交44单

替代参考
1个N沟道 耐压:100V 电流:33A
IRF540NS-JSM
品牌
JSMSEMI(杰盛微)
封装
TO-263
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C7436408
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
33A
导通电阻(RDS(on))
30mΩ@10V

描述应用于高频开关电源、有源功率因数校正。

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