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价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 33A
- 导通电阻(RDS(on))
- 44mΩ@10V
描述先进的HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术，实现了单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计师提供了一种极其高效可靠的器件，可用于多种应用。D²Pak是一种表面贴装功率封装，能够容纳最大至HEX - 4尺寸的芯片
- 收藏
- 对比
- ￥12.03
- ￥10.33
- ￥9.26
- ￥8.17
- ￥6.83
- ￥6.62
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- 现货
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800个/卷
个
总额￥0
近期成交18单
替代参考
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 33A
- 导通电阻(RDS(on))
- 30mΩ@10V
描述应用于高频开关电源、有源功率因数校正。
- 收藏
- 对比
8.5折
- ￥4.0885
- ￥3.349
- ￥2.9835
- ￥2.618
- ￥2.4055
- ￥2.295
现货最快4小时发货
- 现货
- 1220
800个/圆盘
个
总额￥0
近期成交34单
