- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 品牌
- VBsemi(微碧半导体)
- JSMSEMI(杰盛微)
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- Infineon(英飞凌)
多选 - 封装
- TO-220
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- 标签
- 认证信息
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 36A
- 导通电阻(RDS(on))
- 26.5mΩ@10V
描述这款HEXFET®功率MOSFET专为汽车应用而设计，采用了最新的加工技术，以实现单位硅片面积极低的导通电阻。该设计的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合，使该设计成为适用于汽车应用及多种其他应用的高效可靠器件
- 收藏
- 对比
- ￥6.58
- ￥5.55
- ￥4.78
- ￥4.27
- 现货
- 125
50个/管
总额￥0
近期成交5单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 70A
- 导通电阻(RDS(on))
- 10.5mΩ@10V
描述IRF540ZPBF 是一款高性能N沟道MOSFET，采用经典封装TO-220，专为高电压、大电流应用打造。其具有100V的额定电压和高达70A的连续电流处理能力，特别适用于电源转换、电机驱动等领域。导通电阻低至8.5mΩ，确保在大电流运行时仍能保持高效率和低功耗。选择IRF540ZPBF MOS管，让您的设计兼具强劲动力与节能效果。
- 收藏
- 对比
- ￥3.4632
- ￥2.7846
- ￥2.4492
- ￥2.1138
- ￥1.9188
- ￥1.8096
- 现货
- 347
50个/管
总额￥0
近期成交19单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 30A
- 导通电阻(RDS(on))
- 30mΩ@10V
描述类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：110W JSMSEMI导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：30mΩ@10A,10V
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- 对比
- ￥1.99
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- 现货
- 36
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近期成交11单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 70A
- 导通电阻(RDS(on))
- 17mΩ@10V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺制造，适用于需要高功率、高效能量转换和可靠性能的领域和模块，如电源模块、电动工具、汽车电子和工业自动化等。TO220；N—Channel沟道,100V；70A；RDS(ON)=17mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
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- 对比
- ￥5.586
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- ￥3.952
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- ￥3.0875
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- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 70A
- 导通电阻(RDS(on))
- 17mΩ@10V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺制造，适用于需要高功率、高效能量转换和可靠性能的领域和模块，如电源模块、电动工具、汽车电子和工业自动化等。TO220；N—Channel沟道,100V；70A；RDS(ON)=17mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
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