IRF630N

品牌

minos(迈诺斯)

封装

TO-220

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C7429901

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

200V

连续漏极电流(Id)

9A

导通电阻(RDS(on))

260mΩ@10V

描述IRF630N是一款采用先进MOSFET技术制造的硅N沟道增强型MOSFET，该技术可降低传导损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。这款晶体管适用于开关电源（SMPS）、高速开关及通用应用领域。

SMT扩展库

IRF630NSTRLPBF

品牌

Infineon(英飞凌)

封装

D2PAK

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C520651

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

200V

连续漏极电流(Id)

9.3A

导通电阻(RDS(on))

300mΩ@10V

描述第五代HEXFET功率MOSFET采用先进的处理技术，在每单位硅面积上实现极低的导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可用于各种应用。TO-220封装在功率耗散水平约为50瓦的所有商业-工业应用中普遍受到青睐。TO-220的低热阻和低封装成本使其在整个行业中得到广泛认可

RoHSSMT扩展库

HIRF630PBF

品牌

HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装

TO-220

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C42401104

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

200V

连续漏极电流(Id)

9A

导通电阻(RDS(on))

260mΩ@10V

描述该N沟道场效应管具备9A的连续漏极电流能力，支持高达200V的漏源电压。其导通电阻仅为220毫欧姆，保证了较低的功率损耗与高效的电能转换。栅源电压范围为20V，适用于需要精确控制和快速开关的应用场景。此MOSFET设计紧凑、性能可靠，适合于各种要求严苛的电子设备中作为开关元件或信号放大器使用。

SMT扩展库

IRF630-HXY

品牌

HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装

TO-220

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C19267788

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

200V

连续漏极电流(Id)

9A

导通电阻(RDS(on))

260mΩ@10V

描述这款N沟道消费级MOSFET采用TO-220封装，专为处理200V高电压下的中等电流应用。额定连续电流9A，广泛应用于电源转换、电机控制及电池管理系统，具备低导通电阻和高效散热设计，是现代电子设备理想的高耐压功率开关器件。

SMT扩展库

IRF630S-VB

品牌

VBsemi(微碧半导体)

封装

TO-263(D2PAK)

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C709984

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

200V

连续漏极电流(Id)

6.7A

导通电阻(RDS(on))

300mΩ@10V

描述台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于中功率电力和电子应用，为这些模块提供稳定可靠的功率开关功能，推动中功率应用领域的发展和应用TO263；N—Channel沟道,200V；10A；RDS(ON)=300mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

SMT扩展库

IRF630NS-VB

品牌

VBsemi(微碧半导体)

封装

TO-263(D2PAK)

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C7494481

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

200V

连续漏极电流(Id)

6.7A

导通电阻(RDS(on))

300mΩ@10V

描述台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于中功率电力和电子应用，为这些模块提供稳定可靠的功率开关功能，推动中功率应用领域的发展和应用TO263；N—Channel沟道,200V；10A；RDS(ON)=300mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

SMT扩展库

IRF630

品牌

ST(意法半导体)

封装

TO-220

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C129801

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

200V

连续漏极电流(Id)

9A

导通电阻(RDS(on))

400mΩ@10V

描述这款功率MOSFET采用该公司成熟的基于条形布局的MESH OVERLAY™工艺设计。与不同厂家的标准产品相比，这项技术能够达到同等性能甚至有所提升。

RoHSSMT扩展库

IRF630STRLPBF

品牌

VISHAY(威世)

封装

TO-263(D2PAK)

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C3009865

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

200V

连续漏极电流(Id)

9A

导通电阻(RDS(on))

400mΩ@10V

描述第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。D2PAK（TO-263）是一种表面贴装功率封装，能够容纳高达HEX-4的芯片尺寸。它在任何现有的表面贴装封装中提供了最高的功率能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低，D2PAK（TO-263）适用于大电流应用，并且在典型的表面贴装应用中可以耗散高达2.0W的功率。

RoHSSMT扩展库

IRF630P-VB

品牌

VBsemi(微碧半导体)

封装

TO-220AB-3

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C878838

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

200V

连续漏极电流(Id)

10A

导通电阻(RDS(on))

270mΩ@10V

描述特性：DT-Trench功率MOSFET。 结温175℃。 PWM优化。 100% Rg测试。 符合RoHS指令2002/95/EC。应用：初级侧开关

SMT扩展库

HIRF630-VB

品牌

VBsemi(微碧半导体)

封装

TO-220AB

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C7569009

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

200V

连续漏极电流(Id)

10A

导通电阻(RDS(on))

270mΩ@10V

描述台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFE，采用Trench工艺，适用于各种低功耗和中功率应用。TO220；N—Channel沟道,200V；10A；RDS(ON)=270mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

RoHS

IRF630STRLPBF-VB

品牌

VBsemi(微碧半导体)

封装

TO-263(D2PAK)

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C22389110

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

200V

连续漏极电流(Id)

10A

导通电阻(RDS(on))

300mΩ@10V

描述TO263；N—Channel沟道,200V；10A；RDS(ON)=300mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

IRF630PBF-VB

品牌

VBsemi(微碧半导体)

封装

TO-220AB

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C7463625

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

200V

连续漏极电流(Id)

10A

导通电阻(RDS(on))

270mΩ@10V

描述台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFE，采用Trench工艺，适用于各种低功耗和中功率应用。TO220；N—Channel沟道,200V；10A；RDS(ON)=270mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

IRF630NSPBF

品牌

Infineon(英飞凌)

封装

D2PAK

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C3277504

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

200V

连续漏极电流(Id)

9.3A

导通电阻(RDS(on))

300mΩ@10V

RoHSSMT扩展库

IRF630STRRPBF

品牌

VISHAY(威世)

封装

D2PAK(TO-263)

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C3277609

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

200V

连续漏极电流(Id)

9A

导通电阻(RDS(on))

400mΩ@10V

RoHSSMT扩展库

IRF630A

品牌

onsemi(安森美)

封装

TO-220

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C3280435

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

200V

连续漏极电流(Id)

9A

导通电阻(RDS(on))

400mΩ@10V

SMT扩展库

IRF630SPBF

品牌

VISHAY(威世)

封装

D2PAK(TO-263)

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C3288187

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

200V

连续漏极电流(Id)

9A

导通电阻(RDS(on))

400mΩ@10V

RoHSSMT扩展库

IRF630A_CP001

品牌

onsemi(安森美)

封装

-

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C3276143

SMT扩展库

IRF630BTSTU

品牌

onsemi(安森美)

封装

-

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C3276175

SMT扩展库