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价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 200V
- 连续漏极电流(Id)
- 9.3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 300mΩ@10V
描述N沟道,200V,9.3A,300mΩ@10V
- 收藏
- 对比
- ￥2.2591
- ￥1.5592
- ￥1.367
- ￥1.1271
- ￥1.0202
- ￥0.9561
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- 现货
- 39K+
50个/管
个
总额￥0
近期成交62单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 200V
- 连续漏极电流(Id)
- 10A
- 导通电阻(RDS(on))
- 270mΩ@10V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFE，采用Trench工艺，适用于各种低功耗和中功率应用。TO220；N—Channel沟道,200V；10A；RDS(ON)=270mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 收藏
- 对比
9.5折
- ￥2.2325
- ￥2.1755
- ￥2.147
- ￥2.109
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- 现货
- 22
50个/管
个
总额￥0
近期成交3单
替代参考
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 200V
- 连续漏极电流(Id)
- 9A
- 导通电阻(RDS(on))
- 260mΩ@10V
描述这款N沟道消费级MOSFET采用TO-220封装，专为处理200V高电压下的中等电流应用。额定连续电流9A，广泛应用于电源转换、电机控制及电池管理系统，具备低导通电阻和高效散热设计，是现代电子设备理想的高耐压功率开关器件。
- 收藏
- 对比
- ￥2.0736
- ￥1.5662
- ￥1.3826
- ￥1.1535
- ￥1.0515
- ￥0.9903
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- 现货
- 5
50个/管
个
总额￥0
近期成交6单
替代参考
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 200V
- 连续漏极电流(Id)
- 6A
- 导通电阻(RDS(on))
- 320mΩ@10V
描述MP9N20是采用先进MOSFET技术制造的硅N沟道增强型MOSFET，该技术可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。这款晶体管适用于开关电源、高速开关及通用应用。
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- 对比
- ￥1.8235
- ￥1.3819
- ￥1.2199
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- ￥0.9278
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- 现货
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50个/管
个
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近期成交5单
