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- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 品牌
- VBsemi(微碧半导体)
- JSMSEMI(杰盛微)
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- OSEN(欧芯)
- Siliup(矽普)
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多选 - 封装
- TO-220
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- 认证信息
综合排序
价格
库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数6
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 200V
- 连续漏极电流(Id)
- 18A
- 导通电阻(RDS(on))
- 150mΩ@10V
描述N沟道,200V,18A,150mΩ@10V
- 收藏
- 对比
- ￥1.6778
- ￥1.3101
- ￥1.1306
- ￥0.9705
- ￥0.9265
- ￥0.9
现货最快4小时发货
- 现货
- 230K+
50个/管
个
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 200V
- 连续漏极电流(Id)
- 18A
- 导通电阻(RDS(on))
- 150mΩ@10V
描述应用于高频开关电源、有源功率因数校正。
- 收藏
- 对比
9折
- ￥2.09709
- ￥1.55079
- ￥1.3554
- ￥1.11168
- ￥1.00314
- ￥0.93798
现货最快4小时发货
- 现货
- 3490
50个/管
个
总额￥0
近期成交20单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 200V
- 连续漏极电流(Id)
- 18A
- 导通电阻(RDS(on))
- 120mΩ@10V
描述这款消费级N沟道MOSFET采用TO-220封装，专为处理200V高电压、中大电流应用设计。额定连续电流18A，广泛应用于电源转换、电机驱动及电池管理系统，具备低导通电阻和卓越散热性能，是现代电子设备高效能功率控制的理想元件。
- 收藏
- 对比
- ￥2.52
- ￥2
- ￥1.68
- ￥1.4
- ￥1.28
- ￥1.2
现货最快4小时发货
- 现货
- 102
50个/管
个
总额￥0
近期成交10单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 200V
- 连续漏极电流(Id)
- 18A
- 导通电阻(RDS(on))
- 120mΩ@10V
描述高品质MOS管,电流18A,耐压200V,导通电阻：0.12Ω
- 收藏
- 对比
- ￥1.9255
- ￥1.5072
- ￥1.3279
- ￥1.1042
- ￥1.0046
- ￥0.9449
现货最快4小时发货
- 现货
- 50
50个/管
个
总额￥0
近期成交2单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 200V
- 连续漏极电流(Id)
- 30A
- 导通电阻(RDS(on))
- 110mΩ@10V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于各种电源管理和功率控制应用。TO220；N—Channel沟道,200V；30A；RDS(ON)=110mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 收藏
- 对比
9.5折
- ￥5.9375
- ￥4.845
- ￥3.952
- ￥3.4105
- ￥3.0875
- ￥2.926
现货最快4小时发货
- 现货
- 5
50个/管
个
总额￥0
近期成交5单
替代参考
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 200V
- 连续漏极电流(Id)
- 18A
- 导通电阻(RDS(on))
- 160mΩ@10V
描述VD MOSFET产品，N沟道，耐压：200V，电流：18A，Rdson：160mR
- 收藏
- 对比
- ￥1.8903
- ￥1.5035
- ￥1.3273
现货最快4小时发货
- 现货
- 90
50个/管
个
总额￥0
近期成交2单
