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- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 200V
- 连续漏极电流(Id)
- 18A
- 导通电阻(RDS(on))
- 180mΩ@10V
描述N沟道 200V 18A
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- ￥3.48
- ￥3.18
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- 现货
- 999
50个/管
个
总额￥0
近期成交7单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 200V
- 连续漏极电流(Id)
- 30A
- 导通电阻(RDS(on))
- 110mΩ@10V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于各种电源管理和功率控制应用。TO220；N—Channel沟道,200V；30A；RDS(ON)=110mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 收藏
- 对比
- ￥6.12
- ￥4.97
- ￥4.4
- ￥3.83
- ￥3.49
- ￥3.32
现货最快4小时发货
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个
总额￥0
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- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 200V
- 连续漏极电流(Id)
- 18A
- 导通电阻(RDS(on))
- 180mΩ@10V
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