IRF7316TRPBF-HXY

品牌

HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装

SOP-8

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C22367297

数量

2个P沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

5.3A

导通电阻(RDS(on))

85mΩ@4.5V

描述IRF7316TRPBF 型MOS管，采用高性能2个P沟道沟道技术，封装在节省空间的SOP-8形式，特别适合现代紧凑型电路设计需求。其关键参数包括工作电压VDSS高达30V，持续电流ID容量达5.3A，而导通电阻仅35mR，展现出卓越的电能转换效率与低功耗特性。这款MOS管是电源管理、开关调节等应用的理想之选，助力您的电子产品实现更高性能与更优能耗表现。

SMT扩展库

IRF7316TRPBF-VB

品牌

VBsemi(微碧半导体)

封装

SO-8

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C3040283

数量

2个P沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

7.3A

导通电阻(RDS(on))

45mΩ@4.5V

描述台积电流片，长电科技封装；是一款双通道功率场效应管，采用Trench工艺，适用于需要高功率和高耐压的应用场景，包括电源开关、电机控制、汽车电子和LED照明等领域的相关模块。SOP8；2个P—Channel沟道,-30V；-7.3A；RDS(ON)=35mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

SMT扩展库

IRF7316TRPBF-JSM

品牌

JSMSEMI(杰盛微)

封装

SOP-8

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C18191790

数量

2个P沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

9A

导通电阻(RDS(on))

29mΩ@4.5V

描述广泛应用于电源转换、负载开关控制及电池管理系统，实现卓越的功率密度与效率表现。

IRF7316

品牌

TECH PUBLIC(台舟)

封装

SOP-8

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C4355029

数量

2个P沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

8A

导通电阻(RDS(on))

26mΩ@4.5V

描述这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

SMT扩展库

TW4953A

品牌

TWGMC(迪嘉)

封装

SOP-8

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C42417413

数量

2个P沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

5.5A

导通电阻(RDS(on))

55mΩ@10V

描述P沟道/30V/5.5A

RoHS

SP30P38DP8

品牌

Siliup(矽普)

封装

SOP-8L

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C41355086

数量

2个P沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

5.5A

导通电阻(RDS(on))

38mΩ@10V；58mΩ@4.5V

描述中低压MOSFET产品，两个P沟道，耐压：-30V,电流：-5.5A,RDSON:38mR