收起筛选
- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 品牌
- Cmos(广东场效应半导体)
- VBsemi(微碧半导体)
- HUASHUO(华朔)
- TECH PUBLIC(台舟)
- DOINGTER(杜因特)
- Infineon(英飞凌)
多选 - 封装
- SOP-8
- 更多
- 包装
- 标签
- 认证信息
综合排序
价格
库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数7
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 2个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 55V
- 连续漏极电流(Id)
- 3.4A
- 导通电阻(RDS(on))
- 95mΩ@10V；150mΩ@4.5V
描述P沟道,-50V,-3.4A,170mΩ@4.5V
- 收藏
- 对比
- ￥3.93
- ￥3.2
- ￥2.83
- ￥2.47
- ￥1.97
- ￥1.85
现货最快4小时发货
- 现货
- 10K+
4000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交44单
- 数量
- 2个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 3.8A
- 导通电阻(RDS(on))
- 98mΩ@10V
描述应用：负载/电源开关。接口。开关逻辑电平转换
- 收藏
- 对比
- ￥2.84
- ￥2.23
- ￥1.97
- ￥1.64
- ￥1.42
- ￥1.34
现货最快4小时发货
- 现货
- 6714
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交29单
- 数量
- 2个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 5.3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 54mΩ@10V；60mΩ@4.5V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款双P型场效应晶体管，采用Trench技术，在各种功率控制、电源管理和信号处理模块中都具有广泛的应用前景。SOP8；2个P—Channel沟道,-60V；-5.3A；RDS(ON)=54mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
- 收藏
- 对比
- ￥4.63
- ￥3.74
- ￥3.3
- ￥2.86
- ￥2.47
- ￥2.33
现货最快4小时发货
- 现货
- 1
4000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交3单
替代参考
- 数量
- 2个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 4A
- 耗散功率(Pd)
- 1.5W
描述HSM6303是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSM6303符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力，并通过了全功能可靠性认证。
- 收藏
- 对比
- ￥1.9963
- ￥1.583
- ￥1.4059
- ￥1.1849
- ￥0.9485
- ￥0.8895
现货最快4小时发货
- 现货
- 1805
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交10单
替代参考
- 数量
- 2个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 5A
- 导通电阻(RDS(on))
- 82mΩ@10V
描述MOS管，SOP-8，双P，耐压：-60V，电流：-5A，10V内阻:82mΩ,4.5V内阻：95mΩ,功率：3.1W,CISS(Typ)：1600pF
- 收藏
- 对比
- ￥1.0456
- ￥0.8243
- ￥0.7295
- ￥0.6112
现货最快4小时发货
- 现货
- 1015
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交2单
替代参考
- 数量
- 2个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 5A
- 导通电阻(RDS(on))
- 90mΩ@4.5V
描述CMS4947采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- 收藏
- 对比
- ￥1.8937
- ￥1.487
- ￥1.3126
现货最快4小时发货
- 现货
- 35
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交1单
替代参考
- 数量
- 2个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 5A
- 导通电阻(RDS(on))
- 95mΩ@10V
描述P+P管/-60V/-5A/95mΩ/(典型75mΩ)
- 收藏
- 对比
