IRF840_IRF840采购信息-立创电子元器件商城

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IRF840PBF

品牌: VISHAY(威世)

封装: TO-220AB

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C537842

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 500V

连续漏极电流(Id): 8A

导通电阻(RDS(on)): 850mΩ@10V

描述第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。TO-220AB封装普遍适用于所有功率耗散水平约为50 W的商业和工业应用。TO-220AB的低热阻和低封装成本使其在整个行业中得到广泛认可。

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IRF840STRLPBF

品牌: VISHAY(威世)

封装: TO-263(D2PAK)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2646

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 500V

连续漏极电流(Id): 8A

导通电阻(RDS(on)): 850mΩ@10V

描述N沟道,500V,8A,850mΩ@10V

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IRF840APBF

品牌: VISHAY(威世)

封装: TO-220AB

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2605

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 500V

连续漏极电流(Id): 8A

导通电阻(RDS(on)): 850mΩ@10V

描述N沟道,500V,8A,850mΩ@10V

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IRF840

品牌: OSEN(欧芯)

封装: TO-220

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C20607747

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 500V

连续漏极电流(Id): 9A

导通电阻(RDS(on)): 680mΩ@10V

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IRF840ASTRLPBF

品牌: VISHAY(威世)

封装: TO-263(D2PAK)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2606

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 500V

连续漏极电流(Id): 8A

导通电阻(RDS(on)): 850mΩ@10V

描述N沟道,500V,8A,850mΩ@10V

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IRF840

品牌: minos(迈诺斯)

封装: TO-220

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2980294

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 500V

连续漏极电流(Id): 8A

导通电阻(RDS(on)): 730mΩ@10V

描述IRF840采用先进的技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。

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IRF840LCPBF-VB

品牌: VBsemi(微碧半导体)

封装: TO-220AB

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C18794912

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 500V

连续漏极电流(Id): 13A

导通电阻(RDS(on)): 660mΩ@10V

描述台积电流片，长电科技封装；是一款单N结构的功率MOSFET，采用Plannar技术，适用于电源模块、家用电器、照明控制器等领域。TO220；N—Channel沟道,500V；13A；RDS(ON)=660mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

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IRF840APBF-VB

品牌: VBsemi(微碧半导体)

封装: TO-220AB

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C18212444

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 500V

连续漏极电流(Id): 13A

导通电阻(RDS(on)): 660mΩ@10V

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IRF840S-VB

品牌: VBsemi(微碧半导体)

封装: TO-263(D2PAK)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C18794922

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 8A

导通电阻(RDS(on)): 770mΩ@10V

描述台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Plannar技术，适用于需要高性能、高可靠性的功率开关元件来实现功率控制和转换功能的领域。TO263；N—Channel沟道,650V；10A；RDS(ON)=770mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

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IRF840LCPBF

品牌: VISHAY(威世)

封装: TO-220AB

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C3290428

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 500V

连续漏极电流(Id): 8A

导通电阻(RDS(on)): 850mΩ@10V

描述这一系列新型低电荷功率MOSFET与传统MOSFET相比，可显著降低栅极电荷。利用新的LCDMOS技术，在不增加产品成本的情况下实现了器件的改进，从而降低了栅极驱动要求并节省了系统总成本。此外，在各种高频应用中可实现更低的开关损耗和更高的效率。使用新型低电荷MOSFET可在大电流下实现几MHz的频率。这些器件的改进与功率MOSFET固有的耐用性和可靠性相结合，为开关应用的设计者提供了一种新的功率晶体管标准。

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