IRF840_IRF840采购信息-立创电子元器件商城

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- 场效应管(MOSFET)
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- VISHAY(威世)
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IRF840PBF

品牌: VISHAY(威世)

封装: TO-220AB

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C537842

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 500V

连续漏极电流(Id): 8A

导通电阻(RDS(on)): 850mΩ@10V,4.8A

描述第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。TO-220AB封装普遍适用于所有功率耗散水平约为50 W的商业和工业应用。TO-220AB的低热阻和低封装成本使其在整个行业中得到广泛认可。

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9.6折

1+￥4.89
10+￥3.96
50+￥3.23
100+￥2.6592
500+￥2.3904
1000+￥2.256

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广东仓: 748

江苏仓: 1970

50个/管

个

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近期成交66单

IRF840

品牌: OSEN(欧芯)

封装: TO-220

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C20607747

漏源电压(Vdss): 500V

连续漏极电流(Id): 9A

导通电阻(RDS(on)): 680mΩ@10V

耗散功率(Pd): 135W

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SMT补贴嘉立创库存2465

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9.5折

5+￥1.636755
50+￥1.292
150+￥1.144275
500+￥0.959975
2000+￥0.877895
5000+￥0.82859

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广东仓: 2460

50个/管

个

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近期成交18单

IRF840APBF

品牌: VISHAY(威世)

封装: TO-220AB

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2605

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 500V

连续漏极电流(Id): 8A

导通电阻(RDS(on)): 850mΩ@10V

描述N沟道,500V,8A,850mΩ@10V

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1+￥6.15
10+￥4.89
50+￥4.27

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广东仓: 3

50个/管

个

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IRF840

品牌: BLUE ROCKET(蓝箭)

封装: TO-220

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C358409

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 500V

连续漏极电流(Id): 8A

导通电阻(RDS(on)): 850mΩ@10V

描述TO-220 塑封封装N 沟道MOS 场效应管。

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1+￥2.71
10+￥2.1
50+￥1.84
100+￥1.52

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广东仓: 276

50个/管

个

总额￥0

近期成交37单

IRF840STRLPBF

品牌: VISHAY(威世)

封装: TO-263(D2PAK)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2646

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 500V

连续漏极电流(Id): 8A

导通电阻(RDS(on)): 850mΩ@10V

描述N沟道,500V,8A,850mΩ@10V

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SMT补贴嘉立创库存209

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1+￥9.74
10+￥8.06
30+￥7.14
100+￥5.58

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广东仓: 167

800个/圆盘

个

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IRF840

品牌: minos(迈诺斯)

封装: TO-220

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2980294

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 500V

连续漏极电流(Id): 8A

导通电阻(RDS(on)): 730mΩ@10V

描述IRF840采用先进的技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。

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5+￥1.9802
50+￥1.4742
150+￥1.3014
500+￥1.0858
2000+￥0.9898
5000+￥0.9321

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广东仓: 420

50个/管

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立推

IRF840

品牌: minos(迈诺斯)

封装: TO-220

备注: 量大可议价

立推售价

10000+￥0.8132

支付后7-9工作日

库存: 100K

50个/管

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IRF840LCPBF-VB

品牌: VBsemi(微碧半导体)

封装: TO-220AB

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C18794912

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 500V

连续漏极电流(Id): 13A

导通电阻(RDS(on)): 660mΩ@10V,8.4A

描述台积电流片，长电科技封装；是一款单N结构的功率MOSFET，采用Plannar技术，适用于电源模块、家用电器、照明控制器等领域。TO220；N—Channel沟道,500V；13A；RDS(ON)=660mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

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8.5折

1+￥3.1705
10+￥3.1025
50+￥3.06
100+￥3.009

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广东仓: 0

江苏仓: 14

50个/管

个

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近期成交1单

IRF840BPBF

品牌: VISHAY(威世)

封装: TO-220AB

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C506480

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 500V

连续漏极电流(Id): 8.7A

导通电阻(RDS(on)): 850mΩ@10V,4A

描述特性：优化设计。低面积比导通电阻。低输入电容（Ciss）。降低电容开关损耗。高体二极管耐用性。雪崩能量额定（UIS）。应用：消费电子。显示器（LCD或等离子电视）

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9.5折

1+￥7.41
10+￥6.21
30+￥5.55
100+￥4.5695
500+￥4.2465
1000+￥4.104

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广东仓: 24

50个/管

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近期成交5单

IRF840PBF-VB

品牌: VBsemi(微碧半导体)

封装: TO-220AB

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C7568744

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 500V

连续漏极电流(Id): 13A

导通电阻(RDS(on)): 660mΩ@10V

RoHS

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8.5折

1+￥2.8305
10+￥2.7625
50+￥2.7115
100+￥2.669

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广东仓: 12

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IRF840SPBF

品牌: VISHAY(威世)

封装: D2PAK(TO-263)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C157614

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 500V

连续漏极电流(Id): 8A

导通电阻(RDS(on)): 850mΩ@10V,4.8A

描述第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。D2PAK（TO - 263）是一种表面贴装功率封装，能够容纳最大至HEX - 4的芯片尺寸。在现有的任何表面贴装封装中，它具备最高的功率处理能力和尽可能低的导通电阻

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1+￥11.4
10+￥9.69
50+￥8.06
100+￥6.97

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广东仓: 131

50个/管

个

总额￥0

近期成交3单

IRF840LCPBF

品牌: VISHAY(威世)

封装: TO-220AB

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C3290428

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 500V

连续漏极电流(Id): 8A

导通电阻(RDS(on)): 850mΩ@10V

描述这一系列新型低电荷功率MOSFET与传统MOSFET相比，可显著降低栅极电荷。利用新的LCDMOS技术，在不增加产品成本的情况下实现了器件的改进，从而降低了栅极驱动要求并节省了系统总成本。此外，在各种高频应用中可实现更低的开关损耗和更高的效率。使用新型低电荷MOSFET可在大电流下实现几MHz的频率。这些器件的改进与功率MOSFET固有的耐用性和可靠性相结合，为开关应用的设计者提供了一种新的功率晶体管标准。

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