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- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 500V
- 连续漏极电流(Id)
- 8A
- 导通电阻(RDS(on))
- 850mΩ@10V
描述第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。TO-220AB封装普遍适用于所有功率耗散水平约为50 W的商业和工业应用。TO-220AB的低热阻和低封装成本使其在整个行业中得到广泛认可。
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- 对比
- ￥4.64
- ￥3.74
- ￥3.05
- ￥2.61
- ￥2.34
- ￥2.2
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- 26K+
50个/管
个
总额￥0
近期成交88单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 500V
- 连续漏极电流(Id)
- 13A
- 导通电阻(RDS(on))
- 660mΩ@10V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单N结构的功率MOSFET，采用Plannar技术，适用于电源模块、家用电器、照明控制器等领域。TO220；N—Channel沟道,500V；13A；RDS(ON)=660mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
RoHS
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- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 500V
- 连续漏极电流(Id)
- 8A
- 导通电阻(RDS(on))
- 850mΩ@10V
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