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库存
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价格/库存筛选
自营结果数7
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 20A
- 导通电阻(RDS(on))
- 4.6mΩ@10V
描述P沟道,-30V,-20A,4.6mΩ@-10V
RoHS
- 收藏
- 对比
- ￥16.923395
- ￥14.600576
- ￥13.439167
订货1-3个工作日
- 库存
- 6947
- 增量
- 1
- 最小包装
- 4000个
个
总额￥0
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 16A
- 导通电阻(RDS(on))
- 5.2mΩ@10V
描述特性：RDS(ON)≤5.2mΩ@VGS=10V。 RDS(ON)≤9.5mΩ@VGS=4V。 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)。 出色的导通电阻和最大直流电流能力。应用：笔记本电脑电源管理。 便携式设备
- 收藏
- 对比
- ￥2.02
- ￥1.75
- ￥1.63
- ￥1.49
- ￥1.42
- ￥1.38
现货最快4小时发货
- 现货
- 3621
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交20单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 21A
- 导通电阻(RDS(on))
- 8.3mΩ@4.5V
描述P沟道，-30V，-21A，4.1mΩ@10V,-15A，-1.6V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
RoHS
- 收藏
- 对比
- ￥2.128
- ￥1.6744
- ￥1.48
- ￥1.2375
现货最快4小时发货
- 现货
- 690
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交5单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 10.9A
- 导通电阻(RDS(on))
- 11mΩ@10V；15mΩ@4.5V
描述SOP8；P—Channel沟道,-30V；-13.5A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.4~-2.5V；
- 收藏
- 对比
- ￥3.47
- ￥2.73
- ￥2.41
- ￥2.02
- ￥1.82
- ￥1.72
现货最快4小时发货
- 现货
- 100
4000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交4单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 18A
- 导通电阻(RDS(on))
- 8mΩ@4.5V
描述台积电流片，长电科技封装；SOP8；P—Channel沟道；-30V；-18A；RDS(ON)=5(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-3V；采用Trench技术；
- 收藏
- 对比
- ￥5.1
- ￥4.15
- ￥3.67
现货最快4小时发货
- 现货
- 4
4000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交1单
替代参考
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 24A
- 导通电阻(RDS(on))
- 4.8mΩ@10V
描述HSM24P03是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSM24P03符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，且通过了全功能可靠性认证。
- 收藏
- 对比
- ￥3.03
- ￥2.38
- ￥2.1
- ￥1.75
- ￥1.42
- ￥1.33
现货最快4小时发货
- 现货
- 510
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交20单
替代参考
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 25A
- 导通电阻(RDS(on))
- 3.5mΩ@10V；5mΩ@4.5V
描述中低压MOSFET产品，P沟道，耐压：-30V,电流：-25A,RDSON:3.8mR
- 收藏
- 对比
- ￥1.3713
- ￥1.0811
- ￥0.9568
现货最快4小时发货
- 现货
- 80
4000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交8单
