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- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 品牌
- VBsemi(微碧半导体)
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价格
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销量
价格/库存筛选
自营结果数5
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 23A
- 导通电阻(RDS(on))
- 117mΩ@10V
描述P沟道,-100V,-23A,117mΩ@-10V
- 收藏
- 对比
- ￥1.9474
- ￥1.4589
- ￥1.258
- ￥1.0788
- ￥1.0296
- ￥1
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 29K+
50个/管
个
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 20A
- 导通电阻(RDS(on))
- 110mΩ@4.5V
描述专为中高压环境下消费电子设备的电源管理而设计，实现高效、稳定的开关控制，是优化系统性能的理想半导体元件。
- 收藏
- 对比
7.8折
- ￥2.8314
- ￥2.3244
- ￥2.0748
- ￥1.8252
- ￥1.6692
- ￥1.5912
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 168
50个/管
个
总额￥0
近期成交13单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 18A
- 导通电阻(RDS(on))
- 167mΩ@10V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效晶体管，采用Trench技术，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于多种电源控制和开关应用。TO220；P—Channel沟道,-100V；-18A；RDS(ON)=167mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
- 收藏
- 对比
- ￥6.08
- ￥4.93
- ￥4.23
- ￥3.66
- ￥3.32
- ￥3.15
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 30
50个/管
个
总额￥0
近期成交2单
替代参考
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 110V
- 连续漏极电流(Id)
- 35A
- 导通电阻(RDS(on))
- 32mΩ@10V
描述IRF9540采用先进的技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
- 收藏
- 对比
- ￥2.97
- ￥2.37
- ￥2.11
- ￥1.79
- ￥1.64
- ￥1.55
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 70
50个/管
个
总额￥0
近期成交4单
替代参考
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 23A
- 导通电阻(RDS(on))
- 95mΩ@10V
描述HSP0115采用先进的沟槽MOSFET技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷，适用于各种其他应用。HSP0115符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过EAS测试，具备完整的功能可靠性认证。
- 收藏
- 对比
- ￥3.38
- ￥2.73
- ￥2.37
- ￥2.04
- ￥1.85
- ￥1.75
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 80
50个/管
个
总额￥0
近期成交3单
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