收起筛选
- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 品牌
- minos(迈诺斯)
- VBsemi(微碧半导体)
- HUASHUO(华朔)
- JSMSEMI(杰盛微)
- Infineon(英飞凌)
多选 - 封装
- TO-220
- 更多
- 包装
- 标签
- 认证信息
综合排序
价格
库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数6
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 23A
- 导通电阻(RDS(on))
- 117mΩ@10V
描述P沟道,-100V,-23A,117mΩ@-10V
- 收藏
- 对比
- ￥2.1725
- ￥1.604
- ￥1.3703
- ￥1.1617
- ￥1.1044
- ￥1.07
现货最快4小时发货
- 现货
- 99K+
50个/管
个
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 20A
- 导通电阻(RDS(on))
- 110mΩ@4.5V
描述专为中高压环境下消费电子设备的电源管理而设计，实现高效、稳定的开关控制，是优化系统性能的理想半导体元件。
- 收藏
- 对比
7.8折
- ￥2.8314
- ￥2.3244
- ￥2.0748
- ￥1.8252
- ￥1.6692
- ￥1.5912
现货最快4小时发货
- 现货
- 151
50个/管
个
总额￥0
近期成交16单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 18A
- 导通电阻(RDS(on))
- 167mΩ@10V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效晶体管，采用Trench技术，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于多种电源控制和开关应用。TO220；P—Channel沟道,-100V；-18A；RDS(ON)=167mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
- 收藏
- 对比
- ￥6.08
- ￥4.93
- ￥4.23
- ￥3.66
- ￥3.32
- ￥3.15
现货最快4小时发货
- 现货
- 56
50个/管
个
总额￥0
近期成交2单
替代参考
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 110V
- 连续漏极电流(Id)
- 35A
- 导通电阻(RDS(on))
- 32mΩ@10V
描述IRF9540采用先进的技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
- 收藏
- 对比
- ￥2.82
- ￥2.25
- ￥2
- ￥1.69
- ￥1.56
- ￥1.48
现货最快4小时发货
- 现货
- 100
50个/管
个
总额￥0
近期成交9单
替代参考
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 23A
- 导通电阻(RDS(on))
- 95mΩ@10V
描述HSP0115采用先进的沟槽MOSFET技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷，适用于各种其他应用。HSP0115符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过EAS测试，具备完整的功能可靠性认证。
- 收藏
- 对比
- ￥3.38
- ￥2.73
- ￥2.37
- ￥2.04
- ￥1.85
- ￥1.75
现货最快4小时发货
- 现货
- 30
50个/管
个
总额￥0
近期成交1单
替代参考
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 30A
- 导通电阻(RDS(on))
- 26mΩ@10V
描述MPG30P10P采用先进的技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)，适用于多种应用场景。
- 收藏
- 对比
- ￥2.57
- ￥1.91
- ￥1.7
- ￥1.43
- ￥1.31
- ￥1.23
现货最快4小时发货
- 现货
- 45
50个/管
个
总额￥0
近期成交3单
