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- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 75V
- 连续漏极电流(Id)
- 210A
- 导通电阻(RDS(on))
- 3.3mΩ@10V
描述N沟道,75V,210A,3.3mΩ@10V
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个
总额￥0
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- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 80V
- 连续漏极电流(Id)
- 195A
- 导通电阻(RDS(on))
- 2.8mΩ@10V；3mΩ@7.5V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单N型场效应晶体管，采用Trench技术，适用于高功率应用。TO220；N—Channel沟道,80V；195A；RDS(ON)=2.8mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
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