收起筛选
- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 品牌
- VBsemi(微碧半导体)
- Infineon(英飞凌)
多选 - 封装
- TO-220
- 更多
- 包装
- 标签
- 认证信息
综合排序
价格
库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数2
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 75V
- 连续漏极电流(Id)
- 210A
- 导通电阻(RDS(on))
- 3.3mΩ@10V
描述N沟道,75V,210A,3.3mΩ@10V
- 收藏
- 对比
- ￥8.42
- ￥7.06
- ￥5.61
- ￥4.76
- ￥4.39
- ￥4.22
现货最快4小时发货
- 现货
- 10K+
50个/管
个
总额￥0
近期成交12单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 80V
- 连续漏极电流(Id)
- 195A
- 导通电阻(RDS(on))
- 2.8mΩ@10V；3mΩ@7.5V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单N型场效应晶体管，采用Trench技术，适用于高功率应用。TO220；N—Channel沟道,80V；195A；RDS(ON)=2.8mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 收藏
- 对比
- ￥9.18
- ￥7.59
- ￥6.72
- ￥5.73
- ￥5.29
- ￥5.1
现货最快4小时发货
- 现货
- 5
50个/管
个
总额￥0
近期成交2单
