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自营结果数3
型号/品牌/封装/类目
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优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 160A
- 导通电阻(RDS(on))
- 4.2mΩ@10V
描述N沟道,60V,160A,4.2mΩ@10V
- 收藏
- 对比
- ￥4.2
- ￥3.51
- ￥2.72
- ￥2.38
现货最快4小时发货
- 现货
- 150
50个/管
个
总额￥0
近期成交15单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 210A
- 导通电阻(RDS(on))
- 3mΩ@10V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单极性N沟道场效应管，采用Trench工艺制造，适用于需要中高功率和电流的应用场合。TO220；N—Channel沟道,60V；210A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；
- 收藏
- 对比
- ￥5.9535
- ￥5.733
- ￥5.292
- ￥5.0715
- ￥4.9392
订货7-9个工作日
- 库存
- 1000
- 增量
- 1
- 最小包装
- 1个
个
总额￥0
替代参考
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 150A
- 导通电阻(RDS(on))
- 4.2mΩ
描述3306是一款N沟道功率MOSFET。它经过专门设计，可将输入电容和栅极电荷降至最低。因此，该器件适用于先进的高效开关应用
- 收藏
- 对比
- ￥4.26
- ￥3.48
- ￥2.83
- ￥2.45
- ￥2.22
- ￥2.1
现货最快4小时发货
- 现货
- 71
50个/管
个
总额￥0
近期成交1单
