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- 类目
- 场效应管(MOSFET)
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价格
库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数6
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 75V
- 连续漏极电流(Id)
- 80A
- 导通电阻(RDS(on))
- 9mΩ@10V
描述N沟道,75V,80A,9mΩ@10V
- 收藏
- 对比
- ￥2.3
- ￥1.78
- ￥1.48
- ￥1.25
- ￥1.19
- ￥1.15
现货最快4小时发货
- 现货
- 19K+
50个/管
个
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 80V
- 连续漏极电流(Id)
- 100A
- 导通电阻(RDS(on))
- 8.2mΩ@10V
描述适用于开关电力转换器应用。
- 收藏
- 对比
7.7折
- ￥2.156
- ￥1.7325
- ￥1.5477
- ￥1.3244
- ￥1.2166
- ￥1.155
现货最快4小时发货
- 现货
- 36
50个/管
个
总额￥0
近期成交16单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 68V
- 连续漏极电流(Id)
- 80A
- 导通电阻(RDS(on))
- 6.6mΩ@10V
描述N沟道，68V，80A，147W，6.6mΩ@10V,30A，2.9V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 收藏
- 对比
- ￥1.459
- ￥1.1566
- ￥1.027
- ￥0.8653
- ￥0.7933
- ￥0.75
现货最快4小时发货
- 现货
- 165
50个/管
个
总额￥0
近期成交6单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 80V
- 连续漏极电流(Id)
- 100A
- 导通电阻(RDS(on))
- 7mΩ@10V
描述台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；
- 收藏
- 对比
8.5折
- ￥5.984
- ￥4.9895
- ￥4.4455
- ￥3.825
- ￥3.553
- ￥3.434
现货最快4小时发货
- 现货
- 20
50个/管
个
总额￥0
替代参考
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 80V
- 连续漏极电流(Id)
- 81A
- 导通电阻(RDS(on))
- 8.7mΩ@10V
描述1个N沟道，80V，81A，8.7mΩ@10V
- 收藏
- 对比
9折
- ￥1.88091
- ￥1.50894
- ￥1.34955
- ￥1.15065
- ￥1.06209
- ￥1.0089
现货最快4小时发货
- 现货
- 545
50个/管
个
总额￥0
近期成交5单
替代参考
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 70V
- 连续漏极电流(Id)
- 90A
- 导通电阻(RDS(on))
- 9mΩ@10V
描述5972A采用先进的沟槽技术和设计，可实现出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
- 收藏
- 对比
9.5折
- ￥2.14225
- ￥1.640175
- ￥1.447895
- ￥1.20802
- ￥1.101145
- ￥1.037115
现货最快4小时发货
- 现货
- 175
50个/管
个
总额￥0
近期成交1单
