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价格/库存筛选
自营结果数4
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 55V
- 连续漏极电流(Id)
- 110A
- 导通电阻(RDS(on))
- 8mΩ@10V
描述N沟道,55V,110A,8mΩ@10V
- 收藏
- 对比
- ￥6.85
- ￥5.67
- ￥4.12
- ￥3.53
- ￥3.18
- ￥3
现货最快4小时发货
- 现货
- 31K+
25个/管
个
总额￥0
近期成交49单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 55V
- 连续漏极电流(Id)
- 110A
- 导通电阻(RDS(on))
- 8mΩ@10V
描述高密度电池设计，可实现极低的RDS。
- 收藏
- 对比
8.3折
- ￥4.9551
- ￥4.4903
- ￥4.2413
- ￥3.9508
- ￥3.8263
- ￥3.7682
现货最快4小时发货
- 现货
- 321
30个/管
个
总额￥0
近期成交2单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 55V
- 连续漏极电流(Id)
- 110A
- 导通电阻(RDS(on))
- 7mΩ@10V
描述高品质MOS管 N沟道 电流:110A 耐压:55V 导通电阻：7mΩ
- 收藏
- 对比
- ￥3.43
- ￥3.06
- ￥2.88
- ￥2.7
- ￥2.59
- ￥2.53
现货最快4小时发货
- 现货
- 489
30个/管
个
总额￥0
近期成交2单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 150A
- 导通电阻(RDS(on))
- 7mΩ@10V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，适用于各种领域的功率电子应用。TO247；N—Channel沟道,60V；150A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~3.5V；
- 收藏
- 对比
9.5折
- ￥15.713
- ￥13.186
- ￥11.609
- ￥9.994
- ￥9.2625
- ￥8.9395
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- 现货
- 29
30个/管
个
总额￥0
近期成交2单
