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    • 场效应管(MOSFET)
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IRFP250MPBF
品牌
Infineon(英飞凌)
封装
TO-247AC-3
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2676
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
200V
连续漏极电流(Id)
30A
导通电阻(RDS(on))
75mΩ@10V

描述N沟道,200V,30A,75mΩ@10V

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25K+

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近期成交79单

耐压:200V 电流:30A
IRFP250MPBF
品牌
Tokmas(托克马斯)
封装
TO-247-3
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5337980
漏源电压(Vdss)
200V
连续漏极电流(Id)
30A
导通电阻(RDS(on))
70mΩ@10V
耗散功率(Pd)
170W

描述中压N沟道MOSF 200V30A 70毫欧

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  • 4.19
  • 3.67
  • 3.16
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替代参考
1个N沟道 耐压:220V 电流:30A
IRFP250NPBF-JSM
品牌
JSMSEMI(杰盛微)
封装
TO-247
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C18188654
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
220V
连续漏极电流(Id)
30A
导通电阻(RDS(on))
50mΩ@10V

描述应用于电源转换、电机驱动等场合,提供卓越的开关性能和稳定可靠的功率管理方案。

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近期成交34单

替代参考
1个N沟道 耐压:200V 电流:33A
MS33N20HGC0
品牌
MASPOWER(麦思浦)
封装
TO-247
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5353695
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
200V
连续漏极电流(Id)
33A
导通电阻(RDS(on))
85mΩ@10V

描述低压大电流

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