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- 场效应管(MOSFET)
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- Siliup(矽普)
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价格
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价格/库存筛选
自营结果数4
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 200V
- 连续漏极电流(Id)
- 50A
- 导通电阻(RDS(on))
- 40mΩ@10V
描述N沟道,200V,50A,40mΩ@10V
- 收藏
- 对比
- ￥6.05
- ￥5.14
- ￥4
- ￥3.47
- ￥3.31
- ￥3.2
现货最快4小时发货
- 现货
- 49K+
25个/管
个
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 220V
- 连续漏极电流(Id)
- 50A
- 导通电阻(RDS(on))
- 30mΩ@10V
描述应用于高频开关电源、有源功率因数校正。
- 收藏
- 对比
8折
- ￥7.224
- ￥6.072
- ￥5.44
- ￥4.72
- ￥4.4
- ￥4.256
现货最快4小时发货
- 现货
- 101
30个/管
个
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 200V
- 连续漏极电流(Id)
- 50A
- 导通电阻(RDS(on))
- 38mΩ@10V
- 收藏
- 对比
- ￥7.53
- ￥6.2
- ￥5.47
- ￥4.64
- ￥4.28
- ￥4.11
现货最快4小时发货
- 现货
- 225
30个/管
个
总额￥0
近期成交4单
替代参考
- 漏源电压(Vdss)
- 200V
- 连续漏极电流(Id)
- 50A
- 导通电阻(RDS(on))
- 33mΩ@10V
- 耗散功率(Pd)
- 300W
描述VD MOSFET产品，N沟道，耐压：200V，电流：50A，Rdson：33mR
- 收藏
- 对比
9.5折
- ￥7.505
- ￥6.175
- ￥5.5575
- ￥4.7215
- ￥4.3605
- ￥4.1895
现货最快4小时发货
- 现货
- 150
30个/管
个
总额￥0
近期成交1单
