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操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 400V
- 连续漏极电流(Id)
- 23A
- 导通电阻(RDS(on))
- 250mΩ@10V
描述高品质MOS管 N沟道 电流:23A 耐压:400V 导通电阻：0.25Ω
RoHS
- 收藏
- 对比
- ￥5.69
- ￥4.61
- ￥4.07
- ￥3.54
- ￥3.22
- ￥3.05
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- 现货
- 218
30个/管
个
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近期成交13单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 500V
- 连续漏极电流(Id)
- 40A
- 导通电阻(RDS(on))
- 80mΩ@10V
描述台积电流片，长电科技封装；TO247；N—Channel沟道,500V；50A；RDS(ON)=80(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=3.8V；采用SJ_Multi-EPI技术
- 收藏
- 对比
- ￥19.37
- ￥16.39
- ￥14.53
现货最快4小时发货
- 现货
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30个/管
个
总额￥0
近期成交1单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 400V
- 连续漏极电流(Id)
- 14A
- 导通电阻(RDS(on))
- 200mΩ@10V
描述N沟道,400V,23A,200mΩ@10V
RoHSSMT扩展库
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- ￥15.82
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- ￥11.29
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- ￥8.96
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25个/管
个
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近期成交1单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 400V
- 连续漏极电流(Id)
- 23A
- 导通电阻(RDS(on))
- 200mΩ@10V
描述第三代功率MOSFET提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。TO-247AC封装适用于商业-工业应用，在较高功率水平下，TO-250AB器件无法使用。TO-247AC与早期的TO-218封装类似，但由于其隔离安装孔而更优越。它还在引脚之间提供了更大的爬电距离，以满足大多数安全规范的要求。
RoHSSMT扩展库
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- ￥36.65
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- ￥25.47
- ￥22.4
- ￥20.99
- ￥20.35
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25个/管
个
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近期成交15单
