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- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 品牌
- VBsemi(微碧半导体)
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综合排序
价格
总库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数7
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 250V
- 连续漏极电流(Id)
- 57A
- 导通电阻(RDS(on))
- 33mΩ@10V
描述N沟道 250V 57A
- 收藏
- 对比
- ￥14.14
- ￥12.21
- ￥9.54
- ￥8.31
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 136
25个/管
个
总额￥0
近期成交6单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 250V
- 连续漏极电流(Id)
- 70A
- 导通电阻(RDS(on))
- 27mΩ@10V
描述适用于高电压、大电流电子设备的电源转换和电机控制等应用，提供稳定可靠的高性能开关解决方案。
- 收藏
- 对比
8.5折
- ￥10.489
- ￥8.823
- ￥7.786
- ￥6.715
- ￥6.239
- ￥6.0265
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 68
30个/管
个
总额￥0
近期成交2单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 250V
- 连续漏极电流(Id)
- 60A
- 导通电阻(RDS(on))
- 40mΩ@10V
描述TO247；N—Channel沟道,250V；60A；RDS(ON)=40mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
- 收藏
- 对比
9.5折
- ￥18.0785
- ￥15.4565
- ￥13.8985
- ￥12.3215
- ￥11.59
- ￥11.267
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 5
30个/管
个
总额￥0
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 250V
- 连续漏极电流(Id)
- 90A
- 导通电阻(RDS(on))
- 25mΩ@10V
- 收藏
- 对比
- ￥10.69
- ￥9.19
- ￥8.25
- ￥7.28
- ￥6.84
- ￥6.65
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 21
30个/管
个
总额￥0
近期成交1单
替代参考
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 250V
- 连续漏极电流(Id)
- 90A
- 导通电阻(RDS(on))
- 29mΩ@10V
描述使用先进的平面条纹DMOS技术和设计，提供出色的RDS(ON)。适用于高效开关电源和有源功率因数校正。
- 收藏
- 对比
- ￥11.48
- ￥9.72
- ￥8.61
- ￥7.48
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 172
30个/管
个
总额￥0
近期成交8单
替代参考
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 250V
- 连续漏极电流(Id)
- 80A
- 导通电阻(RDS(on))
- 45mΩ@10V
描述VD MOSFET产品，N沟道，耐压：250V，电流：80A，Rdson：35mR
- 收藏
- 对比
- ￥10
- ￥8.23
- ￥7.6
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 30
30个/管
个
总额￥0
近期成交33单
替代参考
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 250V
- 连续漏极电流(Id)
- 82A
- 导通电阻(RDS(on))
- 35mΩ@10V
描述这款功率MOSFET采用先进的平面条形DMOS技术制造。这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高功率逆变器、切割机
- 收藏
- 对比
- ￥28.66
- ￥25.92
- ￥15.27
- ￥13.62
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 24
30个/管
个
总额￥0
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