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自营结果数4
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 290A
- 导通电阻(RDS(on))
- 2.6mΩ@10V
描述N沟道,100V,290A,2.6mΩ@10V
- 收藏
- 对比
- ￥9.43
- ￥8.31
- ￥7.27
- ￥6.48
- ￥6.16
- ￥6
现货最快4小时发货
- 现货
- 9760
25个/管
个
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 300A
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.8mΩ@10V
描述此N沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻。它可用于多种应用。
- 收藏
- 对比
9.2折
- ￥11.0492
- ￥9.6692
- ￥6.762
- ￥5.8696
- ￥5.474
- ￥5.2992
现货最快4小时发货
- 现货
- 775
25个/管
个
总额￥0
近期成交6单
替代参考
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 235A
- 导通电阻(RDS(on))
- 2mΩ@10V
描述大电流SGT MOSFET产品
- 收藏
- 对比
- ￥8.09
- ￥6.59
- ￥6.34
现货最快4小时发货
- 现货
- 94
30个/管
个
总额￥0
近期成交9单
替代参考
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 261A
- 导通电阻(RDS(on))
- 2.5mΩ@10V
描述类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：261A 功率(Pd)：312.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2mΩ@10V,50A
- 收藏
- 对比
- ￥7.26
- ￥6
- ￥5.14
- ￥4.36
- ￥4.01
- ￥3.85
现货最快4小时发货
- 现货
- 226
30个/管
个
总额￥0
近期成交12单
