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- 场效应管(MOSFET)
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价格/库存筛选
自营结果数5
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 150V
- 连续漏极电流(Id)
- 171A
- 导通电阻(RDS(on))
- 5.9mΩ@10V
描述N沟道,150V,171A,5.9mΩ@10V
- 收藏
- 对比
- ￥12.96
- ￥11.59
- ￥9.64
- ￥8.76
- ￥8.35
- ￥8.18
现货最快4小时发货
- 现货
- 8096
25个/管
个
总额￥0
近期成交61单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 150V
- 连续漏极电流(Id)
- 150A
- 导通电阻(RDS(on))
- 5.5mΩ@10V
描述此N沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(on)。它可用于各种应用。
- 收藏
- 对比
- ￥10
- ￥8.49
- ￥7.79
- ￥6.82
- ￥6.38
- ￥6.19
现货最快4小时发货
- 现货
- 201
25个/管
个
总额￥0
近期成交3单
替代参考
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 150V
- 连续漏极电流(Id)
- 235A
- 导通电阻(RDS(on))
- 3.8mΩ@10V
描述大电流SGT MOSFET产品
- 收藏
- 对比
- ￥12.36
- ￥10.4
- ￥9.7
- ￥8.44
- ￥7.87
现货最快4小时发货
- 现货
- 921
30个/管
个
总额￥0
近期成交20单
替代参考
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 150V
- 连续漏极电流(Id)
- 205A
- 导通电阻(RDS(on))
- 5.8mΩ@10V
描述1个N沟道漏源电压(Vdss):150V连续漏极电流(Id):205A功率(Pd)517W阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.8mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)142nC@10V输入电容(Ciss@Vds)9325pF@75V工作温度-55 ℃~+ 175℃@(Tj)
- 收藏
- 对比
- ￥15.62
- ￥13.43
- ￥11.55
- ￥10.14
- ￥9.51
- ￥9.23
现货最快4小时发货
- 现货
- 35
30个/管
个
总额￥0
近期成交14单
替代参考
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 150V
- 连续漏极电流(Id)
- 230A
- 导通电阻(RDS(on))
- 4mΩ@10V
- 收藏
- 对比
- ￥12.18
- ￥10.37
- ￥9.24
现货最快4小时发货
- 现货
- 71
30个/管
个
总额￥0
近期成交2单
