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- 场效应管(MOSFET)
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价格/库存筛选
自营结果数6
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 150V
- 连续漏极电流(Id)
- 171A
- 导通电阻(RDS(on))
- 5.9mΩ@10V
描述N沟道,150V,171A,5.9mΩ@10V
- 收藏
- 对比
- ￥12.96
- ￥11.59
- ￥9.64
- ￥8.76
- ￥8.35
- ￥8.18
现货最快4小时发货
- 现货
- 5330
25个/管
个
总额￥0
近期成交65单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 150V
- 连续漏极电流(Id)
- 150A
- 导通电阻(RDS(on))
- 5.5mΩ@10V
描述此N沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(on)。它可用于各种应用。
- 收藏
- 对比
- ￥9.56
- ￥8.05
- ￥7.35
- ￥6.38
- ￥5.95
- ￥5.76
现货最快4小时发货
- 现货
- 414
25个/管
个
总额￥0
近期成交6单
描述采用SGT工艺,150V 180A,5.2mΩ@10V，应用于逆变器电源管理，开关电源等领域
- 收藏
- 对比
- ￥8.61
- ￥7.17
- ￥6.38
- ￥5.49
- ￥5.09
现货最快4小时发货
- 现货
- 547
30个/管
个
总额￥0
近期成交3单
替代参考
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 150V
- 连续漏极电流(Id)
- 235A
- 导通电阻(RDS(on))
- 3.8mΩ@10V
描述大电流SGT MOSFET产品
- 收藏
- 对比
- ￥13.21
- ￥11.25
- ￥10.54
- ￥9.28
现货最快4小时发货
- 现货
- 485
30个/管
个
总额￥0
近期成交30单
替代参考
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 150V
- 连续漏极电流(Id)
- 230A
- 导通电阻(RDS(on))
- 4mΩ@10V
- 收藏
- 对比
- ￥12.18
- ￥10.37
- ￥9.24
现货最快4小时发货
- 现货
- 66
30个/管
个
总额￥0
近期成交4单
替代参考
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 150V
- 连续漏极电流(Id)
- 205A
- 导通电阻(RDS(on))
- 5.8mΩ@10V
描述1个N沟道漏源电压(Vdss):150V连续漏极电流(Id):205A功率(Pd)517W阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.8mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)142nC@10V输入电容(Ciss@Vds)9325pF@75V工作温度-55 ℃~+ 175℃@(Tj)
- 收藏
- 对比
8折
- ￥12.496
- ￥10.744
- ￥9.24
- ￥8.112
- ￥7.608
- ￥7.384
现货最快4小时发货
- 现货
- 25
30个/管
个
总额￥0
近期成交15单
