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价格/库存筛选
自营结果数7
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 500V
- 连续漏极电流(Id)
- 20A
- 导通电阻(RDS(on))
- 270mΩ@10V
描述N沟道,500V,20A,270mΩ@10V
- 收藏
- 对比
- ￥12
- ￥10.57
- ￥9.56
- ￥8.64
- ￥8.22
- ￥8.05
现货最快4小时发货
- 现货
- 16K+
25个/管
个
总额￥0
近期成交85单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 500V
- 连续漏极电流(Id)
- 20A
- 导通电阻(RDS(on))
- 230mΩ@10V
描述1个N沟道 耐压:500V 电流:20A
- 收藏
- 对比
- ￥5.38
- ￥4.37
- ￥3.67
- ￥3.16
- ￥2.86
- ￥2.71
现货最快4小时发货
- 现货
- 726
30个/管
个
总额￥0
近期成交18单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 500V
- 连续漏极电流(Id)
- 18A
- 导通电阻(RDS(on))
- 340mΩ@10V
描述应用于高频开关电源、有源功率因数校正。
- 收藏
- 对比
8.2折
- ￥6.3468
- ￥5.3464
- ￥4.5346
- ￥3.9114
- ￥3.6326
- ￥3.5096
现货最快4小时发货
- 现货
- 335
30个/管
个
总额￥0
近期成交20单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 500V
- 连续漏极电流(Id)
- 25A
- 导通电阻(RDS(on))
- 166mΩ@10V
描述特性：快速开关。 低导通电阻（典型数据：0.166Ω）。 低栅极电荷，可最小化开关损耗。 快速恢复体二极管。 100%单脉冲雪崩能量测试。应用：适配器。 充电器
- 收藏
- 对比
9.5折
- ￥8.246
- ￥7.049
- ￥5.491
- ￥4.75
- ￥4.4175
- ￥4.2655
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- 现货
- 266
30个/管
个
总额￥0
近期成交6单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 500V
- 连续漏极电流(Id)
- 40A
- 导通电阻(RDS(on))
- 80mΩ@10V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款高性能单N沟道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术，适合用于高电压电源管理和开关应用，能够在高负载和高电压条件下提供高效和稳定的性能。TO247；N—Channel沟道,500V；40A；RDS(ON)=80mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=3~5V；超结MOS
- 收藏
- 对比
- ￥19.92
- ￥16.95
- ￥14.53
- ￥12.62
- ￥11.76
- ￥11.38
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- 现货
- 14
30个/管
个
总额￥0
近期成交2单
替代参考
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 500V
- 连续漏极电流(Id)
- 20A
- 导通电阻(RDS(on))
- 260mΩ@10V
描述这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用先进技术制造，该技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源和有源功率因数校正。
- 收藏
- 对比
9.5折
- ￥7.6
- ￥6.327
- ￥5.624
- ￥4.826
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- 现货
- 68
30个/管
个
总额￥0
近期成交2单
替代参考
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 500V
- 连续漏极电流(Id)
- 40A
- 导通电阻(RDS(on))
- 80mΩ@10V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款高性能单N沟道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术，适合用于高电压电源管理和开关应用，能够在高负载和高电压条件下提供高效和稳定的性能。TO247；N—Channel沟道,500V；40A；RDS(ON)=80mΩ@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=3~5V；
- 收藏
- 对比
- ￥19.37
- ￥16.39
- ￥14.53
- ￥12.62
- ￥11.76
- ￥11.38
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- 现货
- 17
30个/管
个
总额￥0
近期成交2单
