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- 场效应管(MOSFET)
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自营结果数8
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 200V
- 连续漏极电流(Id)
- 130A
- 导通电阻(RDS(on))
- 9.7mΩ@10V
描述N沟道,200V,130A,9.7mΩ@10V
- 收藏
- 对比
- ￥11.85
- ￥10.6
- ￥8.53
- ￥7.73
- ￥7.36
- ￥7.2
现货最快4小时发货
- 现货
- 9950
25个/管
个
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 200V
- 连续漏极电流(Id)
- 110A
- 导通电阻(RDS(on))
- 11.5mΩ@10V
描述N沟道200V9.2毫欧
- 收藏
- 对比
9折
- ￥6.858
- ￥6.21
- ￥5.85
- ￥5.355
- ￥5.175
- ￥5.094
现货最快4小时发货
- 现货
- 2112
30个/管
个
总额￥0
近期成交17单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 220V
- 连续漏极电流(Id)
- 130A
- 导通电阻(RDS(on))
- 27mΩ@10V
描述应用于高频开关电源、有源功率因数校正。
- 收藏
- 对比
8.9折
- ￥10.5376
- ￥9.0157
- ￥7.2179
- ￥6.2389
- ￥5.8028
- ￥5.6159
现货最快4小时发货
- 现货
- 190
30个/管
个
总额￥0
近期成交18单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 200V
- 连续漏极电流(Id)
- 110A
- 导通电阻(RDS(on))
- 10mΩ@10V
描述TO247；N—Channel沟道,200V；110A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~4.5V；
- 收藏
- 对比
9.5折
- ￥11.913
- ￥11.628
- ￥11.438
- ￥11.248
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- 现货
- 5
30个/管
个
总额￥0
近期成交1单
替代参考
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 200V
- 连续漏极电流(Id)
- 120A
- 导通电阻(RDS(on))
- 11mΩ@10V
描述N沟道,200V/120A11mR
- 收藏
- 对比
- ￥17.67
- ￥15.11
- ￥12.49
- ￥10.85
- ￥10.11
- ￥9.79
现货最快4小时发货
- 现货
- 16
30个/管
个
总额￥0
近期成交6单
替代参考
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 200V
- 连续漏极电流(Id)
- 140A
- 导通电阻(RDS(on))
- 10mΩ@10V
描述大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：200V，电流：140A,Rdson：8.3mR
- 收藏
- 对比
9.5折
- ￥10.716
- ￥9.044
- ￥7.999
- ￥7.087
- ￥6.6025
- ￥6.3935
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- 现货
- 70
30个/管
个
总额￥0
近期成交4单
替代参考
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 200V
- 连续漏极电流(Id)
- 130A
- 导通电阻(RDS(on))
- 15mΩ@10V
描述使用先进的工艺技术和设计，以提供出色的RDS(ON)。这些器件非常适合用于高效开关模式电源和有源功率因数校正。
- 收藏
- 对比
9.5折
- ￥16.682
- ￥14.611
- ￥12.293
- ￥10.963
- ￥10.3645
- ￥10.108
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- 现货
- 30
30个/管
个
总额￥0
近期成交1单
替代参考
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 200V
- 连续漏极电流(Id)
- 130A
- 导通电阻(RDS(on))
- 9.5mΩ@10V
- 收藏
- 对比
- ￥13.57
- ￥13.27
- ￥13.06
现货最快4小时发货
- 现货
- 25
30个/管
个
总额￥0
