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1个N沟道 耐压:55V 电流:17A
IRFR024NTRPBF
品牌
Infineon(英飞凌)
封装
DPAK(TO-252AA)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2583
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
55V
连续漏极电流(Id)
17A
导通电阻(RDS(on))
75mΩ@10V

描述N沟道,55V,17A,75mΩ@10V

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近期成交100单+

1个N沟道 耐压:60V 电流:30A
IRFR024NTRPBF-HXY
品牌
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO252-2L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C6285776
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
30A
导通电阻(RDS(on))
26mΩ@10V

描述本款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压60V，提供强大的30A电流处理能力。适用于各类中高压开关应用场合的消费电子产品，具备高效能、低导通电阻和卓越的系统稳定性，是电源转换与负载驱动的理想之选。

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近期成交6单

1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
IRFR024NTRPBF-ES
品牌
ElecSuper(静芯)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C22379635
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
20A
导通电阻(RDS(on))
26mΩ@10V；33mΩ@4.5V

描述N沟道,60V,20.0A,26mΩ@10.0V,20A,1.6V@250uA；应用领域：功率开关、高频开关、不间断电源等。

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近期成交6单

1个N沟道 耐压:60V 电流:18A
IRFR024NTRPBF-VB
品牌
VBsemi(微碧半导体)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C6705278
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
18A
导通电阻(RDS(on))
73mΩ@10V；85mΩ@4.5V

描述台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

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近期成交1单

N沟道 MOSFET,电流:18A,耐压:60V
AUIRFR024NTRPBF-VB
品牌
VBsemi(微碧半导体)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C29778924
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
18A
导通电阻(RDS(on))
73mΩ@10V；85mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)
41.7W

描述TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

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近期成交2单

替代参考
1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
DOD20N06
品牌
DOINGTER(杜因特)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C36499181
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
20A
导通电阻(RDS(on))
36mΩ@10V

描述N管/60V/20A/36mΩ(典型27mΩ)

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近期成交60单

替代参考
1个N沟道 耐压:60V 电流:30A
DOD30N06
品牌
DOINGTER(杜因特)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C36499179
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
30A
导通电阻(RDS(on))
21mΩ@10V

描述N管/60V/30A/30mΩ(典型21mΩ)

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近期成交22单

替代参考
耐压:60V 电流:25A
IRFR024N
品牌
TECH PUBLIC(台舟)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5350881
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
25A
导通电阻(RDS(on))
33mΩ@10V

描述特性：VDS = 60V, ID = 25A。 RDS(ON) < 33mΩ @ VGS = 10V。应用：负载/电源开关。 接口开关

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SMT补贴嘉立创库存1932
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近期成交26单

替代参考
1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
IRFR1205TRPBF-ES
品牌
ElecSuper(静芯)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C21713850
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
20A
导通电阻(RDS(on))
26mΩ@10V；33mΩ@4.5V

描述N沟道,60V,20.0A,26mΩ@10.0V,20A,1.6V@250uA；应用领域：功率开关、高频开关、不间断电源等。

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SMT补贴嘉立创库存1766
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近期成交8单

替代参考
1个N沟道 耐压:60V 电流:30A
IRFR024NT(XBLW)
品牌
XBLW(芯伯乐)
封装
TO-252-2L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C22451445
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
30A
导通电阻(RDS(on))
26mΩ@10V

描述类型: N沟道 漏源电压(Vdss): 100V 连续漏极电流(Id): 20A

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SMT补贴嘉立创库存1775
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1775

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近期成交6单

替代参考
N沟道,60V,20.0A,26mΩ@10.0V,20A,1.5V@250uA；应用领域：功率开关、高频开关、不间断电源等。
ES50N06
品牌
ElecSuper(静芯)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C42385173
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
20A
导通电阻(RDS(on))
26mΩ@10V；33mΩ@4.5V

描述类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：20.0A 功率(Pd)：33W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：26mΩ@10.0V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA

RoHS

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近期成交1单

替代参考
高性能功率MOSFET器件，深圳实验室配套电路优化&EMC整改服务
STD30NF06LT4(ES)
品牌
ElecSuper(静芯)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C42434117
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
20A
导通电阻(RDS(on))
45mΩ@4.5V

描述类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：20A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：33mΩ@4.5V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250μA

RoHS

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近期成交1单

替代参考
高性能功率MOSFET器件，深圳实验室配套电路优化&EMC整改服务
AOD444(ES)
品牌
ElecSuper(静芯)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C42434116
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
20A
导通电阻(RDS(on))
33mΩ@10V

描述类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：20A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：33mΩ@4.5V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250μA

RoHS

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替代参考
1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
IRLR024NTRPBF-ES
品牌
ElecSuper(静芯)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C22379636
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
20A
导通电阻(RDS(on))
26mΩ@10V；33mΩ@4.5V

描述N沟道,60V,20.0A,26mΩ@10.0V,20A,1.6V@250uA；应用领域：功率开关、高频开关、不间断电源等。

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SMT补贴嘉立创库存627
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近期成交6单

替代参考
N沟道,60V,20.0A,26mΩ@10.0V,20A,1.5V@250uA；应用领域：功率开关、高频开关、不间断电源等。
ES20N06
品牌
ElecSuper(静芯)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C42385171
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
20A
导通电阻(RDS(on))
26mΩ@10V

描述类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：20.0A 功率(Pd)：33W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：26mΩ@10.0V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA

RoHS

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近期成交8单

替代参考
1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
ES35N06A
品牌
ElecSuper(静芯)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5350996
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
20A
导通电阻(RDS(on))
26mΩ@10V；33mΩ@4.5V

描述N沟道,60V,20.0A,26mΩ@10.0V,20A,1.6V@250uA；应用领域：功率开关、高频开关、不间断电源等。

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SMT补贴嘉立创库存240
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240

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个

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近期成交2单

替代参考
1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
30N06-ES
品牌
ElecSuper(静芯)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C19725101
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
20A；16A
导通电阻(RDS(on))
26mΩ@10V；33mΩ@4.5V

描述N沟道,60V,20.0A,26mΩ@10.0V,20A,1.6V@250uA；应用领域：功率开关、高频开关、不间断电源等。

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存205
私有库下单最高享92折
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  • ￥0.5434
  • ￥0.4062
  • ￥0.3375
  • ￥0.286
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205

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个

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近期成交4单

替代参考
1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
NCE6020AK-ES
品牌
ElecSuper(静芯)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C22379637
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
20A
导通电阻(RDS(on))
26mΩ@10V

描述N沟道,60V,20.0A,26mΩ@10.0V,20A,1.6V@250uA；应用领域：功率开关、高频开关、不间断电源等。

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存267
私有库下单最高享92折
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  • ￥0.9139
  • ￥0.6831
  • ￥0.5676
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近期成交27单

替代参考
N沟道 耐压:60V 电流:20A
20N06-ES
品牌
ElecSuper(静芯)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C39832207
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
20A
导通电阻(RDS(on))
26mΩ@10V；33mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)
25W

描述N沟道,60V,20.0A,26mΩ@10.0V,20A,1.6V@250uA；应用领域：功率开关、高频开关、不间断电源等。

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