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多选 - 封装
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价格
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价格/库存筛选
自营结果数6
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 43A
- 导通电阻(RDS(on))
- 15.8mΩ@10V
描述N沟道 60V 43A
- 收藏
- 对比
- ￥4.42
- ￥3.63
- ￥3.23
- ￥2.84
- ￥2.08
- ￥1.96
现货最快4小时发货
- 现货
- 11K+
2000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交31单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 导通电阻(RDS(on))
- 5.8mΩ@10V
- 耗散功率(Pd)
- 100W
- 收藏
- 对比
7.6折
- ￥1.9228
- ￥1.4972
- ￥1.3148
- ￥1.0944
- ￥0.9956
- ￥0.9348
现货最快4小时发货
- 现货
- 990
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交1单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 50A
- 导通电阻(RDS(on))
- 15mΩ@10V
描述这款N沟道消费级MOSFET采用TO-252-2L封装，专为处理60V电压下的大电流应用。额定连续电流高达50A，特别适用于电源转换、电机驱动及电池管理系统，具有低导通电阻和卓越散热效能，是现代电子产品实现高效能功率控制的理想半导体元件。
- 收藏
- 对比
- ￥2.2533
- ￥1.782
- ￥1.58
- ￥1.2691
- ￥1.1568
- ￥1.0895
现货最快4小时发货
- 现货
- 5
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交9单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 58A
- 阈值电压(Vgs(th))
- 1V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型场效应晶体管，采用Trench工艺，具有较低的导通电阻和较高的性能，适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用，为相关领域提供了可靠的解决方案。TO252；N—Channel沟道,60V；58A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 收藏
- 对比
- ￥4.26
- ￥3.49
- ￥3.11
- ￥2.73
- ￥2.28
- ￥2.16
现货最快4小时发货
- 现货
- 100
2500个/圆盘
个
总额￥0
替代参考
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 30A
- 导通电阻(RDS(on))
- 12mΩ@10V；15mΩ@4.5V
描述中低压SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：60V，电流：30A,Rdson：12mR
- 收藏
- 对比
- ￥0.7445
- ￥0.5885
- ￥0.5105
- ￥0.452
现货最快4小时发货
- 现货
- 2480
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交3单
替代参考
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 55A
- 导通电阻(RDS(on))
- 16mΩ@10V
描述HSU50N06是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSU50N06符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，并通过了全功能可靠性认证。
- 收藏
- 对比
- ￥0.884
- ￥0.7064
- ￥0.6176
- ￥0.551
现货最快4小时发货
- 现货
- 1230
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交1单
