- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 品牌
- VBsemi(微碧半导体)
- TECH PUBLIC(台舟)
- JSMSEMI(杰盛微)
- DOINGTER(杜因特)
- HUASHUO(华朔)
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- ElecSuper(静芯)
- Infineon(英飞凌)
多选 - 封装
- TO-252
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- 包装
- 标签
- 认证信息
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 55V
- 连续漏极电流(Id)
- 11A
- 导通电阻(RDS(on))
- 175mΩ@10V
描述P沟道,55V ,11A,175mΩ
- 收藏
- 对比
- ￥1.5196
- ￥1.2057
- ￥1.0525
- ￥0.9158
- ￥0.8194
- ￥0.7968
- 广东仓
- 29K+
2000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 13A
- 导通电阻(RDS(on))
- 110mΩ@10V
描述这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 收藏
- 对比
- ￥2.3721
- ￥1.8681
- ￥1.6521
- ￥1.3826
- ￥1.2626
- ￥1.1905
- 广东仓
- 2560
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交5单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 10A
- 导通电阻(RDS(on))
- 100mΩ@10V
描述本款消费级P沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，具备60V高耐压及10A电流处理能力。专为低压开关应用设计，适用于各类消费电子产品中的电源管理与转换需求，提供高效、低损耗的系统解决方案。
- 收藏
- 对比
- ￥1.241064
- ￥0.98384
- ￥0.873576
- ￥0.736032
- ￥0.6314
- ￥0.594616
- 广东仓
- 35
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交5单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 28A
- 导通电阻(RDS(on))
- 31mΩ@4.5V；27mΩ@10V
描述P沟道，-60V，-28A，27mΩ@-10.0V,-20A，-1.6V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 收藏
- 对比
- ￥1.1208
- ￥0.8688
- ￥0.7608
- ￥0.6261
- ￥0.5661
- ￥0.53
- 广东仓
- 0
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交10单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 30A
- 导通电阻(RDS(on))
- 61mΩ@10V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺，其高性能和可靠性使其在各种工业和消费电子应用中都能发挥重要作用。TO252；P—Channel沟道,-60V；-30A；RDS(ON)=61mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
- 收藏
- 对比
- ￥3.264
- ￥2.6435
- ￥2.3375
- ￥2.0315
- ￥1.7425
- ￥1.649
- 广东仓
- 4
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交5单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 30A
- 导通电阻(RDS(on))
- 61mΩ@10V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺，其高性能和可靠性使其在各种工业和消费电子应用中都能发挥重要作用。TO252；P—Channel沟道,-60V；-30A；RDS(ON)=61mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
- 收藏
- 对比
- ￥3.8
- ￥3.078
- ￥2.7075
- ￥2.3465
- ￥2.071
- ￥1.957
- 广东仓
- 1
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 20A
- 导通电阻(RDS(on))
- 68mΩ@10V
描述采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷下提供优异的Rps(on)，可应用于多种应用领域。
- 收藏
- 对比
- ￥1.469565
- ￥1.150475
- ￥1.013795
- ￥0.8432
- ￥0.76721
- ￥0.72165
- 广东仓
- 51K+
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交58单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 13A
- 导通电阻(RDS(on))
- 110mΩ@4.5V
描述IRFR9024NTRTBF Pin to PIN 标准参数Vth:3.0
- 收藏
- 对比
- ￥2.016
- ￥1.6128
- ￥1.44
- ￥1.2244
- ￥1.0541
- ￥0.9964
- 广东仓
- 2425
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交29单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 15A
- 导通电阻(RDS(on))
- 90mΩ@10V
描述适用于电池保护、负载开关等应用，拥有低导通电阻和快速切换特性，为电子设备提供可靠高效的功率管理解决方案。
- 收藏
- 对比
- ￥1.07232
- ￥0.84248
- ￥0.744
- ￥0.62112
- ￥0.5664
- ￥0.53352
- 广东仓
- 1185
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交33单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 20A
- 导通电阻(RDS(on))
- 68mΩ@10V
描述P管/-60V/-20A/68mΩ/(典型60.9mΩ)
RoHS
- 收藏
- 对比
- ￥0.4942
- ￥0.433
- ￥0.4024
- ￥0.3795
- ￥0.3519
- ￥0.3428
- 广东仓
- 3545
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交13单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 13A
- 导通电阻(RDS(on))
- 132mΩ@4.5V
描述HSU6113 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSU6113 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%经过 EAS 测试，具备完整的功能可靠性认证。
- 收藏
- 对比
- ￥1.2017
- ￥0.9547
- ￥0.8489
- ￥0.7168
- ￥0.619
- ￥0.5837
- 广东仓
- 1815
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交10单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 13A
- 导通电阻(RDS(on))
- 90mΩ@10V
描述P管/-60V/-13A/90mΩ(典型80mΩ)
- 收藏
- 对比
- ￥0.571
- ￥0.4529
- ￥0.3939
- ￥0.3496
- ￥0.3068
- ￥0.2891
- 广东仓
- 1740
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交3单
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