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- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 品牌
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自营结果数7
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 55V
- 连续漏极电流(Id)
- 49A
- 导通电阻(RDS(on))
- 17.5mΩ@10V
描述N沟道,55V,49A,17.5mΩ@10V
- 收藏
- 对比
- ￥1.7892
- ￥1.3069
- ￥1.1288
- ￥0.9699
- ￥0.9262
- ￥0.9
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- 现货
- 31K+
50个/管
个
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 50A
- 导通电阻(RDS(on))
- 12mΩ@10V
描述应用于高频开关电源、有源功率因数校正。
- 收藏
- 对比
8.5折
- ￥1.45061
- ￥1.19255
- ￥1.06114
- ￥0.897175
- ￥0.82416
- ￥0.7803
现货最快4小时发货
- 现货
- 670
50个/管
个
总额￥0
近期成交17单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 50A
- 导通电阻(RDS(on))
- 18mΩ@10V
描述N沟道,60V,50A,导通电阻：18mΩ
- 收藏
- 对比
- ￥1.6621
- ￥1.3017
- ￥1.1473
- ￥0.9546
- ￥0.8688
- ￥0.8173
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- 现货
- 30
50个/管
个
总额￥0
近期成交27单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 60A
- 导通电阻(RDS(on))
- 11mΩ@10V；13mΩ@4.5V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应管，具有适中的电压容限和漏极电流，采用Trench工艺，适用于电源开关模块、电机驱动模块、电源转换器等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；60A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 收藏
- 对比
9.5折
- ￥4.655
- ￥3.7525
- ￥3.2965
- ￥2.85
- ￥2.5745
- ￥2.4415
现货最快4小时发货
- 现货
- 60
50个/管
个
总额￥0
近期成交4单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 60A
- 导通电阻(RDS(on))
- 18mΩ@10V
描述这款N沟道场效应管（MOSFET）设计紧凑，具备出色的电气性能。其最大漏源电流（ID）可达25安培，在10伏特下的导通电阻（RDSON）仅为12毫欧姆，有效降低了导通状态下的功耗。该器件的最大漏源电压（VDSS）为60伏特，能够承受较高电压的应用环境，同时，栅源电压（VGS）的最大值为20伏特，提供了宽泛的操作范围。此MOSFET适用于各种电子设备中的电源管理与信号控制，如便携式电子产品、消费类电器等，是高性能电路设计的理想选择。
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- 对比
- ￥1.8063
- ￥1.4184
- ￥1.2521
- ￥1.0446
- ￥0.9523
- ￥0.8968
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- 现货
- 60
50个/管
个
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近期成交5单
替代参考
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 60A
- 导通电阻(RDS(on))
- 12mΩ@10V
描述N沟道,60V,60A,12mΩ 10V 10A 87W 采用先进的沟槽技术，提供优异的RDS（ON），低栅极电荷
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- 对比
9.5折
- ￥1.56047
- ￥1.22531
- ￥1.08167
- ￥0.9025
- ￥0.8227
- ￥0.774725
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- 现货
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50个/管
个
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替代参考
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 60A
- 导通电阻(RDS(on))
- 11mΩ@10V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应管，具有适中的电压容限和漏极电流，采用Trench工艺，适用于电源开关模块、电机驱动模块、电源转换器等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；60A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
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- ￥2.652
- ￥2.5415
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个
总额￥0
