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1个N沟道 耐压:40V 电流:343A
IRLB3034PBF
品牌
Infineon(英飞凌)
封装
TO-220AB
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C144151
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
343A
导通电阻(RDS(on))
2mΩ@4.5V

描述N沟 40V 195A

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替代参考
中低压N型MOSFET N沟道 耐压:40V 电流:230A
SP40N01BHTQ
品牌
Siliup(矽普)
封装
TO-220-3L-C
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C41354881
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
230A
导通电阻(RDS(on))
1.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)
350W

描述中低压MOSFET产品,N沟道,耐压:40V,电流:230A,RDSON:1.5mR

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