IRLML0060TRPBF-JSM

品牌

JSMSEMI(杰盛微)

封装

SOT-23-3

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C18190977

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

导通电阻(RDS(on))

105mΩ@10V

耗散功率(Pd)

350mW

描述N沟道,60V,4A,85mΩ@10V

SMT扩展库

IRLML0060TRPBF

品牌

TECH PUBLIC(台舟)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C5122025

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

3A

导通电阻(RDS(on))

105mΩ@10V；125mΩ@4.5V

描述这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

SMT扩展库

IRLML0060TRPBF(ES)

品牌

ElecSuper(静芯)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C42412353

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

3A

导通电阻(RDS(on))

75mΩ@10V

耗散功率(Pd)

1.5W

描述IRLML0060TRPBF(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

SMT扩展库

IRLML0060TRPBF-HXY

品牌

HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C6285745

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

3A

导通电阻(RDS(on))

72mΩ@10V

描述这款N沟道场效应管支持最大3A的连续电流和60V的工作电压，适用于多种电子设备中的开关及放大功能。其典型内阻为72毫欧姆，有助于减少功耗并提高效率。该器件的栅源电压VGS可达20V，确保了良好的驱动能力和稳定性。它适合用于电源管理、信号处理以及需要高效能半导体解决方案的消费电子产品中。

SMT扩展库

IRLML0060TRPBF

品牌

Infineon(英飞凌)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C3280953

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

2.7A

导通电阻(RDS(on))

116mΩ@4.5V

描述特性：行业标准引脚排列。 与现有的表面贴装技术兼容。 符合RoHS标准，无铅、无溴、无卤素。 MSL1，工业级认证。应用：负载/系统开关

WST6066A

品牌

WINSOK(微硕)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C148352

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

2.1A

导通电阻(RDS(on))

120mΩ@2.5V

描述WST6066A是高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WST6066A符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过抗雪崩能力（EAS）测试，具备全面的功能可靠性认证。

RoHSSMT扩展库

HSS3N06

品牌

HUASHUO(华朔)

封装

SOT-23L

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C22359216

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

3.2A

导通电阻(RDS(on))

95mΩ@10V

描述N沟道,60V/3.2A95mR

RoHSSMT扩展库

SP6003T2

品牌

Siliup(矽普)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C41354927

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

3A

导通电阻(RDS(on))

70mΩ@10V

描述小电流MOSFET产品，N沟道，耐压：60V，电流：3A, Rdson：70mR