- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 品牌
- ElecSuper(静芯)
- VBsemi(微碧半导体)
- TECH PUBLIC(台舟)
- Siliup(矽普)
- JSMSEMI(杰盛微)
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- Infineon(英飞凌)
多选 - 封装
- SOT-23(TO-236)
- 更多
- 包装
- 标签
- 认证信息
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 1.2A
- 导通电阻(RDS(on))
- 250mΩ@4.5V
描述N沟道,20V,1.2A,250mΩ@4.5V
RoHS
- 收藏
- 对比
- ￥2.991404
- ￥2.659025
- ￥2.171538
- ￥1.861318
- 库存
- 58K+
- 增量
- 1
- 最小包装
- 3000个
总额￥0
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 1.2A
- 导通电阻(RDS(on))
- 250mΩ@4.5V
描述这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 收藏
- 对比
- ￥0.4126
- ￥0.3326
- ￥0.2926
- ￥0.241
- ￥0.217
- ￥0.205
- 现货
- 7130
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 3.3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 45mΩ@4.5V
描述IRLML2402TRPBF(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路
- 收藏
- 对比
- ￥0.0813
- ￥0.0794
- ￥0.0782
- ￥0.0769
- 现货
- 2960
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交6单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 2.3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 55mΩ@4.5V
描述该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，额定电压20V，可承载2.3A连续电流，适用于各类低电压、高效率电子应用。具备低导通电阻及快速开关特性，广泛应用于充电器、电源管理及小型化设备的功率控制，提升系统效能。
- 收藏
- 对比
- ￥0.16324
- ￥0.12964
- ￥0.11284
- ￥0.09744
- ￥0.08736
- ￥0.08225
- 现货
- 760
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交5单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 2.5A
- 导通电阻(RDS(on))
- 85mΩ@2.5V
描述广泛应用于充电器、电源转换及各类电子设备中，实现高效能、稳定可靠的功率控制。
- 收藏
- 对比
- ￥0.28312
- ￥0.22552
- ￥0.19672
- ￥0.17512
- ￥0.15784
- ￥0.1492
- 现货
- 1330
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交4单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 6A
- 导通电阻(RDS(on))
- 22mΩ@4.5V
描述台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；
- 收藏
- 对比
- ￥0.35054
- ￥0.2771
- ￥0.24038
- ￥0.21284
- ￥0.190825
- ￥0.179775
- 现货
- 20
3000个/圆盘
总额￥0
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 6A
- 导通电阻(RDS(on))
- 28mΩ@4.5V
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 3.3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 45mΩ@4.5V
描述N沟道,20V,3.5A,45mΩ@4.5V；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
- 收藏
- 对比
- ￥0.0897
- ￥0.0746
- ￥0.061
- ￥0.056
- ￥0.0516
- ￥0.0493
- 现货
- 52K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交78单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 3.3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 45mΩ@4.5V；62mΩ@2.5V
描述N沟道,20V,3.5A,45mΩ@4.8V；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
- 收藏
- 对比
- ￥0.1093
- ￥0.0869
- ￥0.0745
- ￥0.067
- ￥0.0606
- ￥0.0571
- 现货
- 51K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交31单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 3.3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 45mΩ@4.5V；62mΩ@2.5V
描述N沟道,20V,3.5A,45mΩ@4.14V；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
- 收藏
- 对比
- ￥0.1207
- ￥0.0909
- ￥0.0743
- ￥0.0644
- ￥0.0557
- ￥0.0511
- 现货
- 16K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交44单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 3.3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 45mΩ@4.5V；62mΩ@2.5V
描述N沟道,20V,3.3A,45mΩ@4.5V；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
- 收藏
- 对比
- ￥0.1754
- ￥0.1376
- ￥0.1166
- ￥0.0997
- ￥0.0887
- ￥0.0829
- 现货
- 5720
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交13单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 1.5A
- 导通电阻(RDS(on))
- 55mΩ@4.5V
描述中低压MOSFET产品，N沟道，耐压：20V，电流：1.5A, Rdson：55mR
- 收藏
- 对比
- ￥0.0638
- ￥0.0498
- ￥0.0427
- 现货
- 3350
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交4单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 3.3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 45mΩ@4.5V
描述N沟道,20V,3.5A,45mΩ@4.10V；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
- 收藏
- 对比
- ￥0.1124
- ￥0.0876
- ￥0.0738
- ￥0.0655
- ￥0.0583
- ￥0.0545
- 现货
- 3300
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交14单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 25V
- 连续漏极电流(Id)
- 900mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.05Ω@4.5V
描述这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
RoHS
- 收藏
- 对比
- ￥0.6874
- ￥0.5434
- ￥0.4714
- ￥0.4174
- ￥0.3742
- 现货
- 3000
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 3.3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 45mΩ@4.5V
描述N沟道,20V,3.5A,45mΩ@4.6V；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
- 收藏
- 对比
- ￥0.0639
- ￥0.0522
- ￥0.0457
- ￥0.0418
- ￥0.0384
- ￥0.0366
- 现货
- 3215
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交9单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 750mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 250mΩ@4.5V
描述小电流MOSFET产品，N沟道，ESD防护，耐压：20V，电流：0.75A, Rdson：250mR
- 收藏
- 对比
- ￥0.0946
- ￥0.073
- ￥0.0642
- 现货
- 2150
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交2单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 6A
- 导通电阻(RDS(on))
- 22mΩ@4.5V
描述台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；
- 收藏
- 对比
- ￥0.22724
- ￥0.2223
- ￥0.21907
- ￥0.215745
- 现货
- 80
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交6单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 3.3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 45mΩ@4.5V；62mΩ@2.5V
描述ES2302 S2是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于直流-直流转换、电源开关和充电电路
- 收藏
- 对比
- ￥0.1588
- ￥0.1237
- ￥0.1042
- 现货
- 2980
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 3.3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 45mΩ@4.5V；62mΩ@2.5V
描述ES2302S 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路
RoHS
- 收藏
- 对比
- ￥0.1588
- ￥0.1237
- ￥0.1042
- ￥0.0925
- ￥0.0824
- ￥0.0769
- 现货
- 2960
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交2单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 3.3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 45mΩ@4.5V
描述类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3.5A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：36.0mΩ@10V,3.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.0V@250uA N沟道,20V,3.5A,36.0mΩ@10V
RoHS
- 收藏
- 对比
- ￥0.1124
- ￥0.0876
- ￥0.0738
- ￥0.0655
- ￥0.0583
- ￥0.0545
- 现货
- 1550
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交9单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 3.3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 45mΩ@4.5V
描述类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3.5A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：36.0mΩ@10V,3.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.0V@250uA N沟道,20V,3.5A,36.0mΩ@10V
RoHS
- 收藏
- 对比
- ￥0.1124
- ￥0.0876
- ￥0.0738
- ￥0.0655
- ￥0.0583
- ￥0.0545
- 现货
- 2200
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交17单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 3.3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 45mΩ@4.5V
描述类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3.3A 功率(Pd)：0.9W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：45mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：0.7V@250uA N沟道,20V,3.3A,45mΩ@10V
RoHS
- 收藏
- 对比
- ￥0.1711
- ￥0.1333
- ￥0.1123
- 现货
- 2680
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交2单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 导通电阻(RDS(on))
- 45mΩ@4.5V
- 耗散功率(Pd)
- 0.9mW
描述N沟道,20V,3.3A,45mΩ@4.5V；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
- 收藏
- 对比
- ￥0.2128
- ￥0.1669
- ￥0.1414
- ￥0.1261
- 现货
- 3000
3000个/圆盘
总额￥0
描述N沟道,20V,3.3A,45mΩ@4.5V；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
- 收藏
- 对比
- ￥0.4011
- ￥0.3195
- ￥0.2787
- 现货
- 2960
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
描述N沟道,20V,3.3A,45mΩ@4.5V；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
- 收藏
- 对比
- ￥0.4247
- ￥0.3383
- ￥0.2951
- ￥0.2627
- 现货
- 3000
3000个/圆盘
总额￥0
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 3.3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 45mΩ@4.5V；62mΩ@2.5V
描述N沟道,20V,3.5A,45mΩ@4.7V；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
- 收藏
- 对比
近期成交1单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 3.5A
- 导通电阻(RDS(on))
- 36mΩ@4.5V
描述N沟道,20V,3.5A,45mΩ@4.9V；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
SMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ￥0.1176
- ￥0.0895
- ￥0.0739
- ￥0.0645
- ￥0.0564
- ￥0.052
- 现货
- 0
3000个/圆盘
总额￥0
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 3.5A
- 导通电阻(RDS(on))
- 36mΩ@4.5V
描述N沟道,20V,3.5A,45mΩ@4.12V；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
SMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ￥0.1132
- ￥0.0884
- ￥0.0746
- ￥0.0663
- ￥0.0591
- ￥0.0552
- 现货
- 0
3000个/圆盘
总额￥0
