IRLML6344TRPBF

品牌

TECH PUBLIC(台舟)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C28646354

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

4.2A

导通电阻(RDS(on))

90mΩ@2.5V

描述这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

SMT扩展库

IRLML6344TRPBF-HXY

品牌

HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C6285738

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

5.8A

导通电阻(RDS(on))

28mΩ@10V

描述该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，适用于30V电压系统，提供高达5.8A的大电流承载能力。具备出色的低导通电阻与快速开关特性，特别适合充电器、电源模块及高效能电子设备中，实现精准、稳定的功率控制和转换需求。

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IRLML6344TRPBF-ES

品牌

ElecSuper(静芯)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C21713845

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

4.3A

导通电阻(RDS(on))

34mΩ@10V；50mΩ@4.5V

描述N沟道，30V，4.3A，34mΩ@10V,3.6A，1.6V@250μA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

RoHSSMT扩展库

IRLML6344TRPBF-VB

品牌

VBsemi(微碧半导体)

封装

SOT-23(TO-236)

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C6705285

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

6.5A

导通电阻(RDS(on))

30mΩ@10V；33mΩ@4.5V

描述台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

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HSS3400A

品牌

HUASHUO(华朔)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C518774

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

5.5A

导通电阻(RDS(on))

26mΩ@4.5V

描述HSS3400A 是高单元密度沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。HSS3400A 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，且经过全面的功能可靠性认证。

RoHSSMT扩展库

SI2306-ES

品牌

ElecSuper(静芯)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C22379631

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

4.3A

导通电阻(RDS(on))

34mΩ@10V；50mΩ@4.5V

描述N沟道，30V，4.3A，34mΩ@10V,3.6A，1.6V@250μA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

RoHSSMT扩展库

AO3400-ES

品牌

ElecSuper(静芯)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C41365197

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

4.3A

导通电阻(RDS(on))

34mΩ@10V；50mΩ@4.5V

描述N沟道，30V，4.3A，34mΩ@10V,3.6A，1.6V@250μA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

RoHS

SP30N27T2

品牌

Siliup(矽普)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C41354916

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

5.8A

导通电阻(RDS(on))

27mΩ@10V

描述小电流MOSFET产品，N沟道，耐压：30V，电流：5.8A, Rdson：27mR

AO3406A(ES)

品牌

ElecSuper(静芯)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C42434121

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

4.3A

导通电阻(RDS(on))

70mΩ@4.5V

描述AO3406A(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

RoHSSMT扩展库

EX3400B

品牌

Existar(毅芯达)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C48581020

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

5.8A

导通电阻(RDS(on))

26mΩ@10V

描述1个N沟道，30V，5.8A，26mΩ@10V

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