IRLML6346TRPBF-HXY

品牌

HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C20606232

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

5A

导通电阻(RDS(on))

42mΩ@10V

描述这款N沟道消费级MOSFET采用小型SOT-23封装，适用于30V电压下的中等电流应用。提供5A连续电流处理能力，广泛应用于电源转换、负载开关和电池管理系统，具备低导通电阻与高效能特点，是现代电子设备设计的理想集成组件。

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HIRLML6346TRPBF

品牌

HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装

SOT-23-3L

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C42401173

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

5A

导通电阻(RDS(on))

28mΩ@10V

描述这款N沟道场效应管（MOSFET）具备5.8A的连续排水电流（ID），以及30V的最大漏源电压（VDSS），能够在高达20V的栅源电压（VGS）下工作。其导通电阻（RDSON）仅为22毫欧，使得在导通状态下电力损耗较小。此MOSFET适用于多种电子设备中作为开关或放大元件，尤其适合需要高效能转换的应用场合，如便携式电子产品中的电源管理模块，或者消费类电子产品内的信号处理单元。

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IRLML6346TRPBF-VB

品牌

VBsemi(微碧半导体)

封装

SOT-23(TO-236)

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C7429059

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

6.5A

导通电阻(RDS(on))

30mΩ@10V；33mΩ@4.5V

描述台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

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IRLML6346TRPBF-JSM

品牌

JSMSEMI(杰盛微)

封装

SOT-23L

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C18192783

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

6A

耗散功率(Pd)

1.5W

描述应用于电脑、DC/DC转换器的电源管理等等。

AO3404(XBLW)

品牌

XBLW(芯伯乐)

封装

SOT-23-3L

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C22451424

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

5A

导通电阻(RDS(on))

28mΩ@10V

描述类型: N沟道 漏源电压(Vdss): 30V 连续漏极电流(Id): 5A

RoHSSMT扩展库

TPM3400AS3

品牌

TECH PUBLIC(台舟)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C5310943

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

5.8A

导通电阻(RDS(on))

59mΩ@2.5V

描述特性：VDS = 30V，ID = 5.8A。 RDS(ON) < 59mΩ @ VGS = 2.5V。 RDS(ON) < 45mΩ @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 41mΩ @ VGS = 10V。应用：负载/电源开关。 接口开关

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