IRLML6401TRPBF

品牌

TECH PUBLIC(台舟)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C5182042

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

12V

连续漏极电流(Id)

4.3A

导通电阻(RDS(on))

50mΩ@4.5V

描述这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

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IRLML6401TRPBF-ES

品牌

ElecSuper(静芯)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C22363750

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

12V

连续漏极电流(Id)

3.8A

导通电阻(RDS(on))

29mΩ@4.5V

描述P沟道，-12V，-3.8A，29mΩ@-4.5V,-3.8A；应用领域：应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。

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IRLML6401TRPBF-JSM

品牌

JSMSEMI(杰盛微)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C2874694

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

20V

连续漏极电流(Id)

4.2A

导通电阻(RDS(on))

48mΩ@4.5V

描述适用于DC-DC转换、低电压电源开关及负载控制应用，提供低导通电阻和出色的性能表现，是现代电子设备的理想功率管理组件。

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HIRLML6401TRPBF

品牌

HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C41428812

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

20V

连续漏极电流(Id)

5A

导通电阻(RDS(on))

35mΩ@4.5V

描述这款场效应管（MOSFET）属于P沟道类型，其连续电流（ID）为5安培，最大漏源电压（VDSS）为20伏特，适用于低压直流电路中的信号控制或电源管理。该器件具有45毫欧姆的导通电阻（RDON），在导通状态下的能量损耗较低，适合用于电子设备中的负载开关、电源路径管理和逻辑电平转换等应用场景，提供精确的电流调节与高效的电力传输特性。

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IRLML6401TRPBF-VB

品牌

VBsemi(微碧半导体)

封装

SOT-23(TO-236)

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C558179

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

20V

连续漏极电流(Id)

4A

导通电阻(RDS(on))

60mΩ@10V；80mΩ@2.5V；65mΩ@4.5V

描述台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于多种电源和功率控制应用，包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。SOT23；P—Channel沟道,-20V；-4A；RDS(ON)=60mΩ@VGS=4.5V,VGS=±12V；Vth=-0.5~-1.5V；

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IRLML6401

品牌

TECH PUBLIC(台舟)

封装

SOT-23-3

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C2835446

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

16V

连续漏极电流(Id)

3.8A

导通电阻(RDS(on))

78mΩ@2.5V

描述这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

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SI2333

品牌

TWGMC(迪嘉)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C47283672

漏源电压(Vdss)

12V

连续漏极电流(Id)

6A

导通电阻(RDS(on))

45mΩ@2.5V

耗散功率(Pd)

1.1W

描述类型: 1个P沟道 漏源电压(Vdss): 12V 连续漏极电流(Id): 6A

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FS2333

品牌

FUXINSEMI(富芯森美)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C3018479

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

12V

连续漏极电流(Id)

6A

导通电阻(RDS(on))

60mΩ@1.8V

描述特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。应用：便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器

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