- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 品牌
- TECH PUBLIC(台舟)
- VBsemi(微碧半导体)
- JSMSEMI(杰盛微)
- FUXINSEMI(富芯森美)
- KUU
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- ElecSuper(静芯)
- Siliup(矽普)
- CCX(晁禾)
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- SOT-23(TO-236)
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- 包装
- 标签
- 认证信息
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 3.7A
- 导通电阻(RDS(on))
- 65mΩ@4.5V
描述P沟道,-20V,-3.7A,65mΩ@-4.5V
- 收藏
- 对比
- ￥0.8577
- ￥0.7078
- ￥0.6307
- ￥0.5672
- ￥0.545
- ￥0.53
- 现货
- 11K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 4.1A
- 导通电阻(RDS(on))
- 75mΩ@2.5V
描述特性：先进的沟槽技术。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 无铅产品。应用：负载/电源开关。 接口
- 收藏
- 对比
- ￥0.5662
- ￥0.4448
- ￥0.384
- ￥0.3385
- ￥0.2779
- ￥0.2596
- 现货
- 35K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交86单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 4.2A
- 导通电阻(RDS(on))
- 30mΩ@4.5V
描述适用于各类小型电子设备，提供高效、稳定的开关与功率转换性能。
- 收藏
- 对比
- ￥0.19776
- ￥0.15936
- ￥0.14016
- ￥0.12576
- ￥0.11424
- ￥0.1084
- 现货
- 26K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 导通电阻(RDS(on))
- 39mΩ@4.5V
- 耗散功率(Pd)
- 1.7W
- 收藏
- 对比
- ￥0.189468
- ￥0.14934
- ￥0.129276
- ￥0.114228
- ￥0.10222
- ￥0.09614
- 现货
- 5950
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交2单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 4.2A
- 导通电阻(RDS(on))
- 55mΩ@4.5V
描述此款消费级P沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，额定电压为20V，最大连续电流4.2A，适用于低电压、小体积的电源开关、负载切换及反向电流保护等应用，尤其适合于高效能、空间受限的电路设计。
- 收藏
- 对比
- ￥0.24399
- ￥0.19863
- ￥0.17595
- ￥0.13149
- ￥0.1179
- ￥0.11106
- 现货
- 1620
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交2单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 3.3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 36mΩ@4.5V
描述P沟道，-20V，-3.8A，36mΩ@-4.5V,-3.8A；应用领域：应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
- 收藏
- 对比
- ￥0.2498
- ￥0.1901
- ￥0.157
- 现货
- 240
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 3.7A
- 导通电阻(RDS(on))
- 135mΩ@2.5V
描述特性：TrenchFET功率MOSFET。超低导通电阻。可提供卷带包装。应用：便携式设备的负载开关。DC/DC转换器
- 收藏
- 对比
- ￥0.3157
- ￥0.2533
- ￥0.2221
- ￥0.1835
- ￥0.1648
- ￥0.1554
- 现货
- 430
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交5单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 4A
- 导通电阻(RDS(on))
- 60mΩ@10V；80mΩ@2.5V；65mΩ@4.5V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于多种电源和功率控制应用，包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。SOT23；P—Channel沟道,-20V；-4A；RDS(ON)=60mΩ@VGS=4.5V,VGS=±12V；Vth=-0.5~-1.5V；
- 收藏
- 对比
- ￥0.5618
- ￥0.4512
- ￥0.396
- ￥0.3545
- ￥0.2874
- ￥0.2708
- 现货
- 355
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交4单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 4.2A
- 导通电阻(RDS(on))
- 90mΩ@2.5V
描述特性：负载开关适用于便携式设备。 采用先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 收藏
- 对比
- ￥0.20322
- ￥0.15948
- ￥0.13518
- ￥0.11331
- ￥0.10062
- ￥0.09387
- 现货
- 3820
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交47单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 4.1A
- 导通电阻(RDS(on))
- 75mΩ@2.5V
描述特性：先进的沟槽技术。 出色的导通电阻和低栅极电荷。 无铅产品。应用：负载/电源开关。 接口
- 收藏
- 对比
- ￥0.5543
- ￥0.449
- ￥0.3964
- ￥0.357
- ￥0.2965
- ￥0.2807
- 现货
- 960
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交30单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 58.6mΩ@4.5V
描述2301BA 1个P沟道 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
- 收藏
- 对比
- ￥0.10963
- ￥0.085595
- ￥0.0722
- ￥0.064125
- ￥0.05719
- ￥0.05339
- 现货
- 15K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交9单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 3.7A
- 导通电阻(RDS(on))
- 44mΩ@4.5V
描述小电流MOSFET产品，P沟道，耐压：-20V，电流：-3.7A, Rdson：44mR
- 收藏
- 对比
- ￥0.1143
- ￥0.0884
- ￥0.0754
- 现货
- 2950
3000个/圆盘
总额￥0
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 5A
- 导通电阻(RDS(on))
- 67mΩ@1.8V
描述SOT23；P—Channel沟道,-20V；-5A；RDS(ON)=34mΩ@VGS=4.5V,VGS=8V；Vth=-0.45~-1V；是一款单P通道功率MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于各种低压、小功率的电源管理、开关控制、信号放大和电路保护等领域。
- 收藏
- 对比
- ￥0.3105
- ￥0.299
- ￥0.2875
- ￥0.2645
- ￥0.2576
- 库存
- 3000
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总额￥0
