IRLR3410TRPBF-JSM

品牌

JSMSEMI(杰盛微)

封装

TO-252

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C49206907

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

100V

连续漏极电流(Id)

20A

导通电阻(RDS(on))

39mΩ@4.5V；37mΩ@10V

描述类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：42W JSMSEMI导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：37mΩ@10A,10V

SMT扩展库

IRLR3410TRPBF(ES)

品牌

ElecSuper(静芯)

封装

TO-252

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C42412310

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

100V

连续漏极电流(Id)

15A

导通电阻(RDS(on))

80mΩ@10V；90mΩ@4.5V

描述IRLR3410TRPBF(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、功率开关和充电电路

RoHSSMT扩展库

TPIRLR3410TRPBF

品牌

TECH PUBLIC(台舟)

封装

TO-252

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C5350888

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

100V

连续漏极电流(Id)

14.7A

导通电阻(RDS(on))

100mΩ@10V

描述这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

SMT扩展库

IRLR3410TRPBF-VB

品牌

VBsemi(微碧半导体)

封装

TO-252

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C6705294

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

100V

连续漏极电流(Id)

15A

导通电阻(RDS(on))

114mΩ@10V

描述台积电流片，长电科技封装；是一款单N型场效应管，适用于多种应用场景，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、家用电器控制、工业自动化控制等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；15A；RDS(ON)=114mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3.5V；

SMT扩展库

HSU0004

品牌

HUASHUO(华朔)

封装

TO-252

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C508794

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

100V

连续漏极电流(Id)

12A

导通电阻(RDS(on))

112mΩ@10V

描述HSU0004是具有极高单元密度的高性能沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSU0004符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量（EAS）测试，且通过了全功能可靠性认证。

RoHSSMT扩展库