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自营结果数4
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 86A
- 导通电阻(RDS(on))
- 8mΩ@4.5V
描述86A/30V NMOS管
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 100A
- 导通电阻(RDS(on))
- 5mΩ@10V
描述IRLR8726PbF 是一款N沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装，专为高功率密度和大电流应用设计。器件具有30V的漏源电压(VDSS)，在极低的导通电阻3.8mR(RD(on))下，可承载高达100A的漏极电流(ID)。广泛应用在开关电源等领域，以其卓越的电流处理能力和高效能表现，成为提升系统性能和节能效果的理想半导体元件选择。
- 收藏
- 对比
- ￥1.1264
- ￥0.8845
- ￥0.7808
- ￥0.6514
- ￥0.5938
- ￥0.5592
现货最快4小时发货
- 现货
- 70
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交2单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 100A
- 导通电阻(RDS(on))
- 2mΩ@10V；3mΩ@4.5V
描述TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；
- 收藏
- 对比
- ￥1.99
- ￥1.95
- ￥1.92
- ￥1.88
现货最快4小时发货
- 现货
- 20
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交2单
替代参考
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 90A
- 导通电阻(RDS(on))
- 3.88mΩ@10V
描述这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
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- 对比
- ￥1.0582
- ￥0.8314
- ￥0.7342
- ￥0.613
- ￥0.5365
- ￥0.504
现货最快4小时发货
- 现货
- 3470
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交27单
