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1个N沟道 耐压:55V 电流:17A
IRLU024NPBF
品牌
Infineon(英飞凌)
封装
TO-251(IPAK)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3024
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
55V
连续漏极电流(Id)
17A
导通电阻(RDS(on))
80mΩ@5V

描述N沟道,55V,17A,65mΩ@10V,75/管

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现货
408

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近期成交23单

1个N沟道 耐压:60V 电流:35A
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
35A
导通电阻(RDS(on))
32mΩ@10V

描述台积电流片,长电科技封装;是一款单通道N沟道场效应晶体管,采用Trench工艺,具有较大的电压容忍度,可提供良好的电路灵活性。适用于电源模块、电机驱动模块、工业控制模块和电源管理模块等领域。TO251;N—Channel沟道,60V;35A;RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~3.5V;

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存97
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近期成交11单

3000/管 耐压:55V 电流:17A
IRLU024NPBF
品牌
Infineon(英飞凌)
封装
TO-251-3
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C513145
漏源电压(Vdss)
55V
连续漏极电流(Id)
17A
导通电阻(RDS(on))
65mΩ@10V
耗散功率(Pd)
45W
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