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价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 60A
- 导通电阻(RDS(on))
- 20mΩ@10V
描述IRLZ44NPBF 是一款高性能N沟道MOSFET，采用经典可靠的TO-220封装，专为高功率应用设计。该器件提供60V的高耐压VDSS，可承载高达60A的连续漏极电流ID，满足大电流环境下的电力传输需求。其独特优势在于业界领先的17mR低导通电阻RD(on)，有效减少能量损耗，提升系统能效，适用于开关电源、电机驱动、电池管理系统等各种大功率、高效率的电子设备中。
- 收藏
- 对比
9.3折
- ￥2.3994
- ￥1.9437
- ￥1.7019
- ￥1.4601
- ￥1.3485
- ￥1.2834
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- 现货
- 2640
50个/管
个
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 55V
- 连续漏极电流(Id)
- 47A
- 导通电阻(RDS(on))
- 25mΩ@5V
描述N沟道,55V,47A,22mΩ@10V
- 收藏
- 对比
- ￥7.96
- ￥6.62
- ￥5.89
- ￥5.07
- ￥4.7
现货最快4小时发货
- 现货
- 794
50个/管
个
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 50A
- 导通电阻(RDS(on))
- 28mΩ@4.5V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应管，采用Trench工艺制造，具有适中的电压容限和漏极电流，适用于中功率应用场景。TO220；N—Channel沟道,60V；50A；RDS(ON)=24mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；
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- 对比
- ￥1.7955
- ￥1.729
- ￥1.596
- ￥1.5295
- ￥1.4896
订货7-9个工作日
- 库存
- 1000
- 增量
- 1
- 最小包装
- 1个
个
总额￥0
描述采用沟槽工艺，具备低开启电压特性，60V 50A,15mΩ@10V,广泛应用于电源管理、电机驱动、工业控制等领域。
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- 对比
- ￥1.8184
- ￥1.4404
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- ￥1.0763
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- 现货
- 1000
50个/管
个
总额￥0
