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- 类目
- 静态随机存取存储器(SRAM)
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- ISSI(美国芯成)
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价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 存储容量
- 8Mbit
- 工作电压
- 2.5V~3.6V
- 读写时间
- 55ns
- 工作温度
- -40℃~+85℃
描述8-Mbit(512K × 16bit)，并行接口，工作电压：2.5V to 3.6V
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- ￥73.54
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- 存储容量
- 8Mbit
- 工作电压
- 2.5V~3.6V
- 读写时间
- 55ns
- 工作温度
- -40℃~+85℃
描述IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为512K字×16位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件
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1000个/圆盘
个
总额￥0
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