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高压高端和低端驱动器
L6398DTR
品牌
ST(意法半导体)
封装
SO-8
类目
栅极驱动芯片
编号
C2676941
驱动配置
半桥
负载类型
IGBT;MOSFET
驱动通道数
2
灌电流(IOL)
430mA

描述L6398是一款采用BCD“离线”技术制造的高压器件。它是一款用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。高端(浮动)部分设计用于承受高达600 V的电压轨

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