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双差分比较器
LM193DR
品牌
TI(德州仪器)
封装
SOIC-8
类目
比较器
编号
C181435
比较器数
双路
输入失调电压(Vos)
2mV
输入偏置电流(Ib)
25nA
传播延迟(tpd)
300ns

描述LM193 双通道标准比较器

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低功耗、低失调电压双路比较器
LM193DR
品牌
UMW(友台半导体)
封装
SOP-8
类目
比较器
编号
C668212
比较器数
双路
输入失调电压(Vos)
1mV
输入偏置电流(Ib)
25nA
传播延迟(tpd)
300ns

描述特性:宽单电源范围:2.0V至32V。 分离电源范围:±1.0V至±16V。 极低的电流消耗,与电源电压无关:0.4mA。 低输入偏置电流:25nA。 低输入失调电流:5.0nA。 低输入失调电压:5.0mV(最大值)。 输入共模范围至地电平。 差分输入电压范围等于电源电压

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LM193DRG4
LM193DRG4
品牌
TI(德州仪器)
封装
SOIC-8
类目
比较器
编号
C2866717
输出类型
开漏

描述LM193 双通道标准比较器

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替代参考
通用高压、漏极开路输出双路比较器
LM393XK
品牌
RUNIC(润石)
封装
SOIC-8
类目
比较器
编号
C2931601
比较器数
双路
输入失调电压(Vos)
10mV
输入偏置电流(Ib)
10pA
传播延迟(tpd)
7.8us

描述LM393 是双比较器版本,其输出端可与其他集电极开路输出端相连,以实现线与关系。它的工作电压范围为 3V 至 36V,每通道功耗低至 20μA(典型值)。LM393 由两个独立的电压比较器组成,设计用于在宽电压范围内的单电源下工作

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替代参考
模拟比较器
XL193
品牌
XINLUDA(信路达)
封装
SOIC-8
类目
比较器
编号
C513504
比较器数
双路
输入失调电压(Vos)
2mV
输入偏置电流(Ib)
25nA
输出模式
MOS;TTL;CMOS

描述XL193 器件由两个独立的低压比较器组成,专门设计用于在宽电压范围内的单电源下工作,也可采用双电源供电。这些比较器还有一个独特的特性,即即使在单电源电压下工作,其输入共模电压范围也包含地电位。

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