LM2903DR2G

品牌

onsemi(安森美)

封装

SOIC-8

类目

比较器

编号

C57474

比较器数

双路

输入失调电压(Vos)

2mV

输入偏置电流(Ib)

20nA

传播延迟(tpd)

300ns

描述LM393系列是双路独立精密电压比较器，可采用单电源或双电源供电。这些器件设计允许在单电源工作时实现共模范围至地电平。低至2.0 mV的输入失调电压规格使该器件成为消费、汽车和工业电子众多应用的理想选择。

RoHSSMT扩展库

LM2903DR

品牌

UMW(友台半导体)

封装

SOP-8

类目

比较器

编号

C668214

比较器数

双路

输入失调电压(Vos)

1mV

输入偏置电流(Ib)

25nA

传播延迟(tpd)

300ns

描述特性：宽单电源范围：2.0V 至 30V。分离电源范围：±1.0V 至 ±15V。极低电流消耗，与电源电压无关：0.4mA。低输入偏置电流：25nA。低输入失调电流：5.0nA。低输入失调电压：5.0mV（最大值）。输入共模范围至地电平。差分输入电压范围等于电源电压

RoHSSMT扩展库

LM2903DT

品牌

ST(意法半导体)

封装

SO-8

类目

比较器

编号

C98194

比较器数

双路

输入失调电压(Vos)

7mV

输入偏置电流(Ib)

250nA

输出模式

TTL；CMOS

描述该器件由两个独立的低功耗电压比较器组成，专门设计用于在宽电压范围内由单电源供电运行。也可以采用双电源供电。 此外，该器件具有一个独特的特性，即即使采用单电源电压供电，其输入共模电压范围也包含负电源轨。

RoHSSMT扩展库

LM2903DGKR

品牌

TI(德州仪器)

封装

VSSOP-8

类目

比较器

编号

C110543

比较器数

双路

输入失调电压(Vos)

7mV

输入偏置电流(Ib)

25nA

传播延迟(tpd)

1.3us

描述LM2903 双通道差分比较器

RoHSSMT扩展库

LM2903DTR(XBLW)

品牌

XBLW(芯伯乐)

封装

SOP-8

类目

比较器

编号

C18723573

比较器数

双路

输入失调电压(Vos)

1mV

输入偏置电流(Ib)

25nA

传播延迟(tpd)

1.3us

描述静态功耗Iq(Typ)(mA)0.7mA

RoHSSMT扩展库

LM2903DGKRG

品牌

HGC(深圳汉芯)

封装

MSOP-8

类目

比较器

编号

C42396708

比较器数

双路

输入失调电压(Vos)

1mV

输入偏置电流(Ib)

100nA

输出类型

开漏

描述LM2903 是一款开漏输出的双路电压比较器，可以单电源或双电源供电。具有良好的温度稳定性，和输出短路保护的特点。可以直接使用数字系统中的标准 5V 电源供电，而无需增加额外的供电电源。

RoHSSMT扩展库

LM2903DRG

品牌

HGC(深圳汉芯)

封装

SOP-8

类目

比较器

编号

C5145305

比较器数

双路

输入失调电压(Vos)

1mV

输入偏置电流(Ib)

100nA

静态电流(Iq)

600uA

描述差分比较器

RoHSSMT扩展库

LM2903DR-JSM

品牌

JSMSEMI(杰盛微)

封装

SOP-8

类目

比较器

编号

C18195095

比较器数

双路

输入失调电压(Vos)

1mV

输入偏置电流(Ib)

25nA

输出模式

MOS；DTL；TTL；CMOS；ECL

描述专门设计用于在单电源电压范围内工作，也可以从分电源电压工作。

SMT扩展库

LM2903D

品牌

TI(德州仪器)

封装

SOIC(D)-8

类目

比较器

编号

C5214192

比较器数

双路

输入失调电压(Vos)

370uV

输入偏置电流(Ib)

3.5nA

传播延迟(tpd)

1us

描述LM393B 和 LM2903B 器件是业界通用 LM393 和 LM2903 比较器系列的下一代版本。下一代 B 版本比较器具有更低的失调电压、更高的电源电压能力、更低的电源电流、更低的输入偏置电流和更低的传播延迟，并通过专用 ESD 钳位提高了 2kV ESD 性能和输入耐用性。LM393B 和 LM2903B 可直接替代 LM293、LM393 和 LM2903（“A”和“V”版本）。所有器件都包含两个独立的电压比较器，这些比较器可在宽电压范围内由单电源供电运行。静态电流不受电源电压的影响。

RoHSSMT扩展库

LM2903D-SO1R

品牌

3PEAK(思瑞浦)

封装

SOP-8

类目

比较器

编号

C38359642

RoHSSMT扩展库

LM2903DGKR

品牌

ROHM(罗姆)

封装

MSOP-8

类目

比较器

编号

C7500473

比较器数

双路

输入失调电压(Vos)

2mV

输入偏置电流(Ib)

25nA

传播延迟(tpd)

1.3us

描述通用标准系列LM393 / LM339 / LM2903 / LM2901单片集成电路在单芯片上集成了两个/四个独立的比较器，具有高增益、低功耗的特点，工作电压范围为2[V]至36[V]（单电源）。

RoHSSMT扩展库

LM2903DR (LX)

品牌

LX(灵星芯微)

封装

SOP-8

类目

比较器

编号

C49246863

比较器数

2

输入失调电压(Vos)

2mV

输入偏置电流(Ib)

25nA

输出类型

开集

描述由两个独立的比较器组成，电路可以工作在宽电压范围的单电源下，也支持双电源供电。双电源供电时，两个电源之间的压差在2V至18V之间且VCC比输入共模电压至少高1.5V。静态电流功耗与电源电压无关。输出可以连接到其他器件的集电极开路输出端，以达到线与关系。

SMT扩展库

LM2903DR

品牌

ROHM(罗姆)

封装

SOIC-8

类目

比较器

编号

C5443916

比较器数

双路

输入失调电压(Vos)

2mV

输入偏置电流(Ib)

25nA

传播延迟(tpd)

1.3us

描述通用标准系列LM393 / LM339 / LM2903 / LM2901单片集成电路在单芯片上集成了两个/四个独立的比较器，具有高增益、低功耗的特点，工作电压范围为2[V]至36[V]（单电源）。

RoHSSMT扩展库

LM2903D

品牌

ST(意法半导体)

封装

SO-8

类目

比较器

编号

C2935184

比较器数

双路

输入失调电压(Vos)

1mV

输入偏置电流(Ib)

25nA

传播延迟(tpd)

1.3us

描述该器件由两个独立的低功耗电压比较器组成，专为从单一电源工作于宽电压范围内而设计。 也可以从分压电源工作。 此外，该器件具有一个独特特性，即使从单一电源电压工作，其输入共模电压范围也包括负电源轨。

RoHS

LM2903DRG3

品牌

TI(德州仪器)

封装

SOIC-8

类目

比较器

编号

C2865710

输入失调电压(Vos)

7mV

输出类型

开集

工作温度

-40℃~+125℃

描述LM2903 双通道差分比较器

LM2903DRG4

品牌

TI(德州仪器)

封装

SOIC-8

类目

比较器

编号

C352837

比较器数

双路

输入失调电压(Vos)

370uV

输入偏置电流(Ib)

3.5nA

传播延迟(tpd)

1us

描述LM2903 双通道差分比较器

LM2903DR2GH

品牌

onsemi(安森美)

封装

-

类目

线性稳压器(LDO)

编号

C7216545

工作电压

36V

工作温度

-40℃~+105℃

输出通道数

2

SMT扩展库

LM2903DR2

品牌

onsemi(安森美)

封装

SOIC-8

类目

比较器

编号

C3658468

比较器数

双路

输入失调电压(Vos)

2mV

输入偏置电流(Ib)

20nA

输出模式

TTL；MOS；CMOS；ECL

LM2903DMR2

品牌

onsemi(安森美)

封装

SOP-8

类目

比较器

编号

C3658704

比较器数

双路

输入失调电压(Vos)

2mV

输入偏置电流(Ib)

20nA

传播延迟(tpd)

1.5us

LM2903DRE4

品牌

TI(德州仪器)

封装

-

类目

数字比较器

编号

C20973720