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LM2903DR
品牌
TI(德州仪器)
封装
SOIC-8
类目
比较器
编号
C7549
比较器数
双路
输入失调电压(Vos)
2mV
输入偏置电流(Ib)
100nA
输出类型
开集

描述LM2903 双通道差分比较器

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2500/圆盘

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LM2903DR2G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOIC-8
类目
比较器
编号
C57474
比较器数
双路
输入失调电压(Vos)
2mV
输入偏置电流(Ib)
20nA
传播延迟(tpd)
300ns

描述LM393系列是双路独立精密电压比较器,可采用单电源或双电源供电。这些器件设计允许在单电源工作时实现共模范围至地电平。低至2.0 mV的输入失调电压规格使该器件成为消费、汽车和工业电子众多应用的理想选择。

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近期成交100单+

LM2903DR2G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOIC-8
批次
25+
立推售价
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库存
300K

2500/圆盘

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宽单电源范围比较器
LM2903DR
品牌
UMW(友台半导体)
封装
SOP-8
类目
比较器
编号
C668214
比较器数
双路
输入失调电压(Vos)
1mV
输入偏置电流(Ib)
25nA
传播延迟(tpd)
300ns

描述特性:宽单电源范围:2.0V 至 30V。分离电源范围:±1.0V 至 ±15V。极低电流消耗,与电源电压无关:0.4mA。低输入偏置电流:25nA。低输入失调电流:5.0nA。低输入失调电压:5.0mV(最大值)。输入共模范围至地电平。差分输入电压范围等于电源电压

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2500/圆盘

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近期成交100单+

双路差分比较器
LM2903DRG
品牌
HGC(深圳汉芯)
封装
SOP-8
类目
比较器
编号
C5145305
比较器数
双路
输入失调电压(Vos)
1mV
输入偏置电流(Ib)
100nA
静态电流(Iq)
600uA

描述差分比较器

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SMT补贴嘉立创库存4666
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4660

2500/圆盘

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近期成交2单

低功耗双电压比较器
LM2903DR-JSM
品牌
JSMSEMI(杰盛微)
封装
SOP-8
类目
比较器
编号
C18195095
比较器数
双路
输入失调电压(Vos)
1mV
输入偏置电流(Ib)
25nA
输出模式
MOS;DTL;TTL;CMOS;ECL

描述专门设计用于在单电源电压范围内工作,也可以从分电源电压工作。

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现货
965

3000/圆盘

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近期成交6单

LM2903DR-JSM
品牌
JSMSEMI(杰盛微)
封装
SOP-8
备注
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立推售价
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库存
420K

3000/圆盘

总额0

两路差分比较器
LM2903DR (LX)
品牌
LX(灵星芯微)
封装
SOP-8
类目
比较器
编号
C49246863
比较器数
2
输入失调电压(Vos)
2mV
输入偏置电流(Ib)
25nA
输出类型
开集

描述由两个独立的比较器组成,电路可以工作在宽电压范围的单电源下,也支持双电源供电。双电源供电时,两个电源之间的压差在2V至18V之间且VCC比输入共模电压至少高1.5V。静态电流功耗与电源电压无关。输出可以连接到其他器件的集电极开路输出端,以达到线与关系。

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SMT补贴嘉立创库存195
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190

4000/圆盘

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近期成交9单

通用运算放大器/比较器 停产
LM2903DR
品牌
ROHM(罗姆)
封装
SOIC-8
类目
比较器
编号
C5443916
比较器数
双路
输入失调电压(Vos)
2mV
输入偏置电流(Ib)
25nA
传播延迟(tpd)
1.3us

描述通用标准系列LM393 / LM339 / LM2903 / LM2901单片集成电路在单芯片上集成了两个/四个独立的比较器,具有高增益、低功耗的特点,工作电压范围为2[V]至36[V](单电源)。

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SMT补贴嘉立创库存5
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2500/圆盘

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近期成交20单

双路电压比较器,具有低失调电压、高电源电压能力、低电源电流、低输入偏置电流和低传播延迟,可在宽电压范围内由单电源供电运行,输出与TTL、MOS和CMOS兼容
LM2903DRG3
品牌
TI(德州仪器)
封装
SOIC-8
类目
比较器
编号
C2865710
输入失调电压(Vos)
7mV
输出类型
开集
工作温度
-40℃~+125℃

描述LM2903 双通道差分比较器

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Op Amps-Comparators
LM2903DRG4
品牌
TI(德州仪器)
封装
SOIC-8
类目
比较器
编号
C352837
比较器数
双路
输入失调电压(Vos)
370uV
输入偏置电流(Ib)
3.5nA
传播延迟(tpd)
1us

描述LM2903 双通道差分比较器

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LM2903DR2GH
品牌
onsemi(安森美)
封装
-
类目
线性稳压器(LDO)
编号
C7216545
工作电压
36V
工作温度
-40℃~+105℃
输出通道数
2

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LM2903DR2
LM2903DR2
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOIC-8
类目
比较器
编号
C3658468
比较器数
双路
输入失调电压(Vos)
2mV
输入偏置电流(Ib)
20nA
输出模式
TTL;MOS;CMOS;ECL
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LM2903DRE4
LM2903DRE4
品牌
TI(德州仪器)
封装
-
类目
数字比较器
编号
C20973720
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替代参考
双路比较器
LM2903DTR(XBLW)
品牌
XBLW(芯伯乐)
封装
SOP-8
类目
比较器
编号
C18723573
比较器数
双路
输入失调电压(Vos)
1mV
输入偏置电流(Ib)
25nA
传播延迟(tpd)
1.3us

描述静态功耗Iq(Typ)(mA)0.7mA

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5570

2500/圆盘

总额0

近期成交9单

替代参考
工业级双路差分比较器
LM2903SR
品牌
COSINE(科山芯创)
封装
SOP-8
类目
比较器
编号
C42437067
比较器数
双路
输入失调电压(Vos)
1mV
输入偏置电流(Ib)
25nA
输出类型
开漏

描述工业级双路差分比较器 LM2903(双路)和 LM2901(四路)是低功耗、低失调电压差分比较器,可在 2V 至 36V 单电源或 ±1V 至 ±18V 双电源下工作。尽管其电源电压范围宽,但 LM2903/2901 系列仍具备出色的整体性能和通用性。它们具有高差分输入电压能力

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8940

4000/圆盘

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近期成交13单

替代参考
双路差分比较器
LM2903
品牌
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
SOP-8
类目
比较器
编号
C6851439
比较器数
双路
输入失调电压(Vos)
1mV
输入偏置电流(Ib)
25nA
滞后电压(Vhys)
10mV

描述这款SOP-8封装的精密比较器,专为低功耗和高精度应用设计。其特性包括超低输入偏置电流IB仅为250nA,有效降低系统误差;同时拥有出色的输入失调电压Vos,仅5mV,确保了在各种工作条件下都能实现极高的比较精度。适用于需要高性能信号检测与处理的电子设备,是构建精准控制系统的理想组件。

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1640

2500/圆盘

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近期成交70单

替代参考
低功耗双电压比较器
LM2903M/TR
品牌
HGSEMI(华冠)
封装
SOP-8
类目
比较器
编号
C2688469
比较器数
双路
输入失调电压(Vos)
1mV
输入偏置电流(Ib)
25nA
传播延迟(tpd)
1.3us

描述该器件由两个独立的低功耗电压比较器组成,专门设计用于在宽电压范围内由单电源供电运行,也可采用双电源供电。这些比较器还具有一个独特的特性,即即使采用单电源电压供电,其输入共模电压范围也包含地电位。

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2280

2500/圆盘

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近期成交20单

替代参考
模拟比较器
XL2903
品牌
XINLUDA(信路达)
封装
SOP-8
类目
比较器
编号
C513503
比较器数
双路
输入失调电压(Vos)
2mV
输入偏置电流(Ib)
25nA
传播延迟(tpd)
300ns

描述这些器件由两个独立的电压比较器组成,设计用于在宽电压范围内的单电源下工作。只要两个电源之间的差值在2 V至36 V之间,且Vcc比输入共模电压至少正1.5 V,也可以使用双电源供电。功耗与电源电压无关

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SMT补贴嘉立创库存21
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2500/圆盘

总额0

近期成交3单